New Aspects in the Theory of Impact Ionization

Abstract

on the occasion of his 80th birthdayThe field induced change of the electron states causes avalanche processes already below the usual ionization threshold. For the calculation of the impact ionization coefficient a1 the field influence of the corresponding microscopical rates has to be considered especially below the characteristic threshold energy due to higher occupation numbers. A comparison of the calculated values a1 with experimental data in GaAs raises essential questions concerning the validity of the used stationary transport models.Die feldbedingte Zustandsanderung ruft den Ionisationseffekt schon unterhalb der eigentlichen Schwellenergie hervor. Bei der Berechnung des StoBionisationskoeffizienten a1 ist der FeldeinfluB auf dessen mikroskopische Raten insbesondere unterhalb der charakteristischen Schwellenergie wegen der hoheren Besetzungszahlen zu berucksichtigen. Der Yergleich der berechneten Werte a1 mit experimentellen Daten fur GaAs wirft prinzipielle Fragen der Gultigkeit der verwendeten stationaren Transportmodelle auf.

Influence of Level Broadening in Mobility Calculations for Low‐Dimensional Semiconductor Heterostructures

“…x " 4 , j 6(ho + hmq, j ) + ( N q , j + 1) 6 ( h o T hog, j)] 9 (8) and the coupling factor C q , j , the Bose-Einstein distribution Nq, j , and the phonon frequency o,,? Index "j" labels the polarization mode.…”