New approach to the synthesis of porous silicon with silver nanoparticles using ion implantation technique

Thermal Properties of Porous Silicon

“…Beloto et al (2001) believe that exactly these changes are responsible for strong reduction of the reflectance of PSi structures in the ultraviolet region of the spectrum, and for tendency for the intensity of the peak of the ultraviolet excited photoluminescence to increase with the treatment time of plasma immersion ion implantation. Stepanov et al (2014) have shown that ion implantation can be used for preparing PSi layer functionalized by noble metals as well. In order to demonstrate this technique, they implanted in single crystalline silicon Ag + -ions with an energy of 30 keV at a dose of 1.5 × 10 17 ion/cm 2 .…”

Воздействие импульсного лазерного излучения на слои Si с высокой дозой имплантированных ионов Ag-=SUP=-+-=/SUP=-

“…При этом можно видеть, что в стенках пор присутствуют НЧ размером 40−70 nm. Такая картина поверхности соответствует наблюдавшейся ранее [6,11], а исследования элементного состава и морфологии поверхности на СЭМ свидетельствовали о формировании НЧ Ag.…”

“…При этом если концентрация внедренной примеси Ag превышает равновесный предел растворимости в матрице Si (N ∼ 10 17 at/cm 3 [10]), то в ней возникают условия для зарождения и роста металлических НЧ. В работах [6,9,11,12] сообщалось о формировании НЧ Ag в Si в результате низкоэнергетической высокодозной имплантации ионов Ag + , а также при комбинации ионной имплантации с последующим термическим отжигом [5,12]. Однако для имплантированных слоев Ag : Si, подвергнутых термическому отжигу при T = 400−500 • С, наблюдалось вытеснение примеси Ag к поверхности [12,13], а при дальнейшем росте температуры отжига происходило испарение Ag из образцов [5].…”

Микроскопия Поверхности Кремния, Имплантированного Ионами Серебра Высокими Дозами

“…Ранее для формирования PSi с наночастицами серебра (Ag : PSi) было предложено использовать низкоэнергетическую высокодозовую имплантацию c-Si ионами Ag + [22,23]. Цель настоящей работы заключается в исследовании морфологии и структуры поверхности образцов Ag : PSi, изготовленных в широком интервале доз имплантации и плотности тока в ионном пучке, при помощи современных методов электронной (сканирующей и просвечивающей) и атомно-силовой микроскопии.…”