Воздействие импульсного лазерного излучения на слои Si с высокой дозой имплантированных ионов Ag-=SUP=-+-=/SUP=-

Фотоэлектрические свойства композитных слоев Si с наночастицами Ag, полученных ионной имплантацией и лазерным отжигом

“…Данное обстоятельство, вероятно, связано с изменением структуры слоя Ag : Si, а именно с устранением аморфной фазы в слое в результате быстрой рекристаллизации расплава Ag : Si (рис. 3 и [11]).…”

“…В работе [11] с целью быстрой кристаллизации аморфизованного слоя матрицы Si нами применен наносекундный лазерный отжиг слоев Si с НЧ Ag (Ag : Si), синтезированных при ионной имплантации. Было установлено, что при плотностях энергии W = 1.2−1.8 J/cm 2 лазерного облучения Ag : Si в результате происходящих фазовых переходов в кристаллической матрице Si повторно формировались НЧ Ag различных размеров (5−50 nm) с характерной полосой плазмонного резонанса, регистрируемого по оптическому отражению на длине волны ∼ 830 nm [12].…”

Формирование композиционного материала на основе GeSi с наночастицами Ag методом ионной имплантации

“…Отметим, что при расчетах данных профилей распыление поверхности Si во время имплан-тации (коэффициент распыления Y = 0) не учитывалось. Однако, как это было показано в работах [15,16], во время имплантации c-Si ионами Ag + при значениях D, сравнимых с используемыми в настоящем эксперимен-те, наблюдается эффективное распыление поверхности облучаемой подложки. С тем чтобы скорректировать профили распределения ионов Ge + и Ag + по глубине с учетом фактора распыления Y , было проведено допол-нительное моделирование по методике, предложенной в работе [24].…”

“…1). Регистрируемая на СЭМ поверхность образца Ag : Si представляет собой пористую структуру, подобную тем, которые ранее наблюдались [15,16] [28]. Поэтому очевидно, что быстрое их накопление и пересыщение в тонком имплантированном слое Si приводят к зарождению и росту наночастиц Ag так же, как это происходит при аналогичной высокодозовой имплантации силикатных стекол и полимеров [14].…”

“…Недавно нами была продемонстрирована возможность формирования пористой структуры на поверхности c-Si путем низкоэнергетической (30 keV) высокодозовой (до 1.5 · 10 17 ion/cm 2 ) имплантации ионами Ag + [15,16]. Раз-меры пор в аморфизированном имплантацией Si (a-Si) составляют 150−180 nm при их глубине до 100 nm.…”