2004
DOI: 10.1016/j.mseb.2003.09.033
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Nanocomposite Ti–Si–N films deposited by reactive unbalanced magnetron sputtering at room temperature

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
2
1

Citation Types

6
41
0
2

Year Published

2006
2006
2021
2021

Publication Types

Select...
6
2

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 93 publications
(49 citation statements)
references
References 32 publications
6
41
0
2
Order By: Relevance
“…TiN x O y films are the representative transition metal oxynitrides and can be deposited onto different substrates by various chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD) techniques with a tuneable N y O ratio and consequently, with a wide range of physiochemical properties [17][18][19]. Reactive magnetron sputtering is specially an attractive process to deposit TiON films because of its several intrinsic advantages over CVD and PECVD process [20]. The main advantages include low-temperature deposition, large area deposition, and use of non-toxic gas.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…TiN x O y films are the representative transition metal oxynitrides and can be deposited onto different substrates by various chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD) techniques with a tuneable N y O ratio and consequently, with a wide range of physiochemical properties [17][18][19]. Reactive magnetron sputtering is specially an attractive process to deposit TiON films because of its several intrinsic advantages over CVD and PECVD process [20]. The main advantages include low-temperature deposition, large area deposition, and use of non-toxic gas.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…At the same time, the concentration of oxygen decreases due to increasing in film densification and changing a structure type. The observed reduction of surface roughness can be explained by decreasing grain size due to appearing a large amount of atoms after adding a doping element [64]. In addition, surface diffusion leads to smoothing the surface of the coating [65,66].…”
Section: Resultsmentioning
confidence: 99%
“…Размер этих зёрен контролируется количеством фазы Si 3 N 4 и является причиной, по которой H max достигается при относительно низком содержании в плёнке Si (8-10 ат.%) [7]. Супертвёрдые плёнки Ti-Si-N с низким содержанием Si характеризуются колум-нарной микроструктурой; см., например, одни из последних работ [8][9][10][11][12][13]. Пустоты вокруг колонн формируют почти прямой контакт между окружающей средой на поверхности плёнки и подложки и резко уменьшают стойкость к оксидированию в объёме плёнки и снижают поэтому её барьерную способность.…”
Section: физические свойства и стойкость к высокотемпературному оксидunclassified
“…Более того, многие из них демонстрируют великолепную стойкость к высо-котемпературному оксидированию, к температурам, значительно превышающим 1000С. Например, плёнки Zr-Si-N не подвергаются оксидированию в потоке воздуха до 1300С это не физический предел, а только максимальная температура отжига, используемая в экспе-риментах, о которых сообщает работа [11]. Также известно, что объ-ёмный композит Si 3 N 4 MoSi 2 показывает отличную стойкость к высо-котемпературному оксидированию до 1500С [18][19][20][21].…”
Section: физические свойства и стойкость к высокотемпературному оксидunclassified