Nanocluster carbon thin film as a semiconducting layer and feasibility for device application

Gaurav, N.; Bhatnagar, S.; Raj, Roshna B.; De, Shounak; Niranjana, S. R.; Satyanarayana, B.

doi:10.1109/icccnet.2008.4787738

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 12 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Hướng thứ hai: Nhúng dấu thủy vân vào các phần tử trên cột thứ nhất của ma trận U và/hoặc V [3,6]. Ngoài ra, có nhiều nghiên cứu sử dụng đồng thời phân tích SVD với các phép biến đổi ma trận khác như DCT, DWT,… để xây dựng các lược đồ thủy vân kết hợp như trong [2,7,9,10,15].…”

Section: Các Phép Biến đổI Svd (Singular Valueunclassified

Một số lược đồ thủy vân mới dựa trên phân tích QR

Hiên¹,

Tuấn²,

Hưng³

et al. 2014

Công nghệ TTTT

View full text Add to dashboard Cite

In this paper, we propose two watermarking schemes based on QR decomposition, called QR-1 and QR-N. In comparision with watermarking schemes based on SVD decomposition of R. Sun et.al and P. Bao et.al, the proposed schemes have lower computational complexity, higher security, better quality of watermarked image and more robustness against some image processing attacks. Moreover, scheme QR-1 is also more robustness than the scheme based on QR decomposition of Song Wei et.al.

show abstract

Section: Các Phép Biến đổI Svd (Singular Valueunclassified

Một số lược đồ thủy vân mới dựa trên phân tích QR

Hiên¹,

Tuấn²,

Hưng³

et al. 2014

Công nghệ TTTT

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Performance Evaluation of GaN based Thin Film Transistor using TCAD Simulation

Dargar¹,

Srivastava²,

Bharti³

et al. 2017

IJECE

View full text Add to dashboard Cite

As reported in past decades, gallium nitride as one of the most capable compound semiconductor, GaN-based high-electron mobility transistors are the focus of intense research activities in the area of high power, high-speed, and high-temperature transistors. In this paper we present a design and simulation of the GaN based thin film transistor using sentaurus TCAD for the extracting the electrical performance. The resulting GaN TFTs exhibits good electrical performance in the simulated results, including, a threshold voltage of 12-15 V, an on/off current ratio of 6.5×107 ~8.3×108, and a sub-threshold slope of 0.44V/dec. Sentaurus TCAD simulations is the tool which offers study of comprehensive behavior of semiconductor structures with ease. The simulation results of the TFT structure based on gallium nitride active channel have great prospective in the next-generation flat-panel display applications.

show abstract

Nanocluster carbon thin film as a semiconducting layer and feasibility for device application

Cited by 2 publications

References 12 publications

Một số lược đồ thủy vân mới dựa trên phân tích QR

Một số lược đồ thủy vân mới dựa trên phân tích QR

Performance Evaluation of GaN based Thin Film Transistor using TCAD Simulation

Contact Info

Product

Resources

About