Multiple Cell Upset Mechanisms in SRAMs

Chumakov, A. I.; Sogoyan, A. V.; Boruzdina, Anna B.; Smolin, Anatoly A.; Pechenkin, Alexander

doi:10.1109/radecs.2015.7365638

Cited by 3 publications

(1 citation statement)

References 29 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Эта задача имеет комплексный характер и в общем случае требует решений на различных уровнях -от анализа физических принципов взаимодействия ионизирующих частиц с материалами изделия [11,12] до анализа функционирования всей системы, в которой планируется применять данное изделие. При этом для разработчиков особое значение имеют методы оценки стойкости на схемотехническом уровне, интегрированные непо-средственно в используемые ими средства проектирования.…”

Section: Avulan@spelsruunclassified

Circuit Engineering Modeling of Single Event Effects under Impact of Heavy-Charged Particles in SUB-100 NM CMOS ICs

Smolin¹,

Boruzdina²,

Ulanova³

et al. 2017

PofUE

View full text Add to dashboard Cite

Традиционные подходы к схемотехническому моделированию оди-ночных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) в КМОП СБИС, основанные на использовании двухэкспоненциальной мо-дели импульса тока ионизационной реакции, оказываются не всегда при-менимыми при переходе к суб-100-нм проектным нормам.Представлен обзор основных подходов к решению двух главных за-дач, возникающих при схемотехническом моделировании одиночных эф-фектов в суб-100-нм СБИС: учет влияния электрического режима на про-цесс формирования импульса ионизационного отклика и учет собирания заряда с трека ТЗЧ несколькими чувствительными элементами. В качестве решения первой задачи предложены подходы, основанные на использова-нии кусочно-линейного задания импульса тока на основе TCAD-расчетов, сдвоенного двухэкспоненциального источника тока и источника тока, учитывающего электрический режим транзистора. Рассмотрены способы моделирования ионизационного отклика нескольких элементов от одной ТЗЧ на основе использования lookup-таблиц и аналитических моделей за-висимости ионизационного отклика от места попадания частицы.Проведенный анализ современных подходов к моделированию эф-фектов сбоев и импульсов ионизационной помехи в КМОП-микросхемах позволяет заключить, что наиболее гибким и физически точным является подход, основанный на использовании источника тока, учитывающего электрический режим транзистора и встраиваемого в Verilog-A код исход-ной модели.

show abstract

Section: Avulan@spelsruunclassified