Monolithic GaInAs/InP FET inverter amplifiers for long-wavelength OEICs

Mesure et modélisation du courant de fuite de grille en excès des FET InGaAs

“…Cette explication reste controversée [7]. On peut noter cependant que le champ électrique se situe dans la gamme des [2][3][4][5] x 104 V/cm pour Vds = 2-4 Volts et que les coefficients d'ionisation « ne sont pas bien connus par des champs électriques aussi faibles. D'autres études sur ce sujet, incorporant la dépendance du gap avec la température des coefficients d'ionisation, s'avèrent donc nécessaires.…”

“…Ces deux types de composants présentent un comportement similaire ; il en est de même pour le HJFET réalisé à STC [5] avec une grille à hétérojonction p-InP/n-InGaAs.Les caractéristiques Igs(Vgs) pour différentes tensions Vds sont présentées sur la figure 2 à 300 K et 165 K pour un transistor JFET. Le courant de fuite de grille décroît quand la température décroît comme il l'a été observé parOhnaka [3] et par STC sur leurs HJFETs[5]. le régime de saturation, un champ électrique important apparaît dans la région grille-drain du canal.…”