Molecular beam epitaxy deposition of Gd2O3 thin films on SrTiO3 (100) substrate

Wang, Jinxing; Hao, Jinghua; Zhang, Yangyang; Wang, Hongmei; Mu, Juyi

doi:10.1016/j.physe.2016.02.002

Cited by 7 publications

(1 citation statement)

References 26 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Şu ana kadar HfO2 [9], Al2O3 [10], ZrO2 [11] gibi birçok yüksek-k'lı oksit üzerinde durulmuş ve bu dielektrikler yeni nesil MOS yapıları için önerilmiş olmasına rağmen, ara yüzey kalitesi ve ara yüzey tuzak yük yoğunluğu (Nit) hala bu yapılarda önemli bir problem olarak karşımıza çıkmaktadır [12][13]. Yüksek-k'lı malzeme ile Si arasındaki kafes uyuşmazlığı özellikle ara yüzeyde ve bu bölgeye yakın alanlarda elektron tuzak merkezlerinin oluşmasına neden olur [14]. Ara yüzeyde ve oksitte elektronların tuzaklanması sonucunda p tipi Si alt taş üzerine üretilmiş bir MOS kapasitörün C-V eğrisi veya düz bant voltajı (Vfb), ideal duruma göre sağa doğru kayabilir.…”

unclassified

Effects of interface states and series resistance on the electrical characteristic of Sc2O3 MOS capacitor

Kahraman

Yılmaz

2018

Sakarya University Journal of Science

View full text Add to dashboard Cite

Bu çalışmanın amacı, ara yüzey seviyelerinin ve seri direcin (Rs) Sc2O3 (Skandiyum oksit) MOS (Metal Oksit Yarıiletken) kapasitörünün elektriksel karakteristiği üzerine etkisini frekansa bağlı olarak incelemektir. Sc2O3 MOS kapasitörü RF magnetron saçtırma sistemi ile p tipi Si (100) üzerine üretilmiştir. Kapasitörün kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) değişimleri, 50 kHz ile 1 MHz arasında değişen altı farklı frekansta ölçülmüştür. Elde edilen sonuçlar, C-V eğrisinin yığılım bölgesinde kapasitans değerlerinin Rs etkisi nedeniyle beklenenden daha düşük olduğunu göstermiştir. G/ω-V karakteristiklerinde ise bu etki nedeniyle pikler belirgin bir şekilde oluşmamıştır. Bu nedenle, ölçüm sonuçlarına Rs düzeltmesi yapıldıktan sonra, Sc2O3/Si ara yüzeyinde oluşan tuzak yüklerinin elektriksel karakteristik üzerine etkisi incelenmiştir. Frekansın azalmasıyla birlikte ara yüzey tuzak yükleri, AC voltaj sinyalini takip ederek ölçülen kapasitansa katkı sağlamışlardır. Düzeltilmiş C-V ve G/ω-V ölçümlerinden yararlanılarak p tipi Si için taşıyıcı konsantrasyonu (Na), bariyer yüksekliği (ΦB) ve Fermi seviyesi -değerlik bandı arasındaki enerji farkı (EF) değerleri hesaplanmıştır.

show abstract

unclassified