Modification of nanoscale thermal oxide films formed on indium phosphide under the influence of tin dioxide

Abstract

The kinetic parameters and the limiting stage of the defining process were established by studying the thermal oxidation of SnO 2 /InP heterostructures (thickness of SnO 2 layer ∼ 50 nm). It was established that SnO 2 does not have a chemical stimulating effect on the film growth rate; however, it is effective as a modifier of their structure and properties. SnO 2 provides the formation of nanoscale films with semiconductor properties.

The influence of the physicochemical nature of the components of the V2O5/GaAs, MnO2/GaAs, V2O5/InP, MnO2/InP, TiO2/InP, and SnO2/InP heterostructures and the oxidation conditions on the surface morphology of the synthesised films

“…Подобная ситуация аналогична для ГС с MnO 2 -магнетронно напыленный слой на A 3 B 5 в основном состоит из MnO 2 с относительно небольшим включением Mn 2 O 3 , поэтому в работе использовано обозначение синтези-рованных ГС как MnO 2 /A 3 B 5 [12,13]. В результате магнетронного напыления диоксида олова на поверхность InP формируется слой SnO 2 , без образования нежелательных фаз [14]. Магнетронно сформированный слой диоксида титана содержит только фазы TiO 2 в структурных модификациях анатаз и рутил [19].…”

“…Слои диоксидов олова и титана оказывают обратный эффект, они замедляют процесс формирования пленок при оксидировании гетероструктуры, но выступают в качестве модификаторов состава оксидных пленок (табл. 3), что необходимо для формирования пленок с заданными свойствами [14].…”

“…При нанесении потенциальных хемостимуляторов, способных, однако, модифицировать состав растущих пленок (SnO 2 , TiO 2 [14]) на InP с образованием фосфатов вводимого элемента (см. табл.…”

“…В работах [10][11][12][13] было установлено, что нанесённые на поверхность InP и GaAs наноразмерные слои V 2 O 5 [10,11] способствуют протеканию процесса оксидирования по каталитическому механизму, а MnO 2 [12,13] -преимущественно по транзитному. Нанесенные слои SnO 2 [14,15] и TiO 2 [16,17] в процессах термооксидирования InP не проявляют хемостимулирующих свойств, хотя термодинамически способны передавать кислород компонентам полупроводника, однако они модифицируют состав пленки.…”