Moderate inversion model of ultrathin double-gate nMOS/SOI transistors

Francis, P.; Terao, A.; Flandre, Denis; Wiele, F. Van de

doi:10.1016/0038-1101(94)e0035-d

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“…where is the work function, is the Fermi potential, is the depletion charge, is the oxide capacitance, is the body doping, is the elementary electric charge, represents the charge in the gate dielectric, and is the additional surface potential to reach threshold in a FinFET [13]. In multifin devices, each fin behaves like an independent SOI MOSFET in parallel with the other fins (transistors).…”

Section: A Number Of Finsmentioning

confidence: 99%

Fin-Width Dependence of Ionizing Radiation-Induced Subthreshold-Swing Degradation in 100-nm-Gate-Length FinFETs

Mamouni

Zhang

Schrimpf

et al. 2009

IEEE Trans. Nucl. Sci.

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The dependence of the subthreshold-swing (SS) degradation on fin width is reported for irradiated 100-nm-gatelength, fully depleted -channel FinFETs. The wider the fin is, the greater the radiation-induced SS degradation. The higher tolerance to radiation-induced charge for the narrower FinFETs is attributed to the additional lateral gate control over the body potential. The irradiation and room temperature annealing results suggest that the SS increase for wider FinFETs is due primarily to nonuniform trapped charge in the buried oxide (BOX). The subthreshold characteristics of FinFETs with two fins are more likely to exhibit a nonuniform subthreshold slope (NUSS), resulting from fin-to-fin variability, than FinFETs with 20 fins, where the corresponding -gs curve is the composite of the 20 individual -gs curves.Index Terms-Annealing, buried oxide (BOX), fin width, fully depleted (FD) FinFETs, silicon-on-insulator (SOI), subthreshold swing (SS), total ionizing dose (TID).

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Section: A Number Of Finsmentioning

confidence: 99%

Fin-Width Dependence of Ionizing Radiation-Induced Subthreshold-Swing Degradation in 100-nm-Gate-Length FinFETs

Mamouni

Zhang

Schrimpf

et al. 2009

IEEE Trans. Nucl. Sci.

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“…Several analytical models for DG MOSFETs predict the dependence of the V T shift with temperature on the Si film thickness [23,27,28]. Pascal Francis' model [23,27] provides an explicit expression for both the V T and the surface potential, / Ã s , at V T :…”

Section: Threshold Voltagementioning

confidence: 99%

“…Pascal Francis' model [23,27] provides an explicit expression for both the V T and the surface potential, / Ã s , at V T :…”

Section: Threshold Voltagementioning

confidence: 99%

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Specific features of multiple-gate MOSFET threshold voltage and subthreshold slope behavior at high temperatures

Kilchytska

Collaert

Jurczak

et al. 2007

Solid-State Electronics

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“…Após alguns cálculos a expressão final da transcondutância é (2.35) 76 : (2.37) onde C it = qD it -Capacitância de armadilhas de interface.…”

Section: Transcondutânciaunclassified

Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.

Santos¹

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A meus pais e minha irmã pelo apoio, carinho, incentivo e compreensão nos momentos difíceis, e de ausência, vocês são tudo para mim. Ao Prof. Dr. Sorin Cristoloveanu, pela oportunidade da realização do doutorado sanduiche (Brasil/França), além da atenção, incentivo, e discussões no decorrer deste trabalho. Ao amigo, mais que amigo Luciano Mendes Camillo pela compreensão, ajuda, incentivo, confiança, companheirismo e milhares de discussões, muito obrigada. A minha amiga irmã Débora pela compreensão, amizade, apoio, e companheirismo. E em especial à minha afilhada Karolina, meu maior presente. Ao Prof. Dr. Salvador P. Gimenes e Noel Rodriguez pela atenção, incentivo, e discussões no decorrer deste trabalho. Aos amigos Milene Galeti, Michele Rodrigues e Vinícius Heltai pelo incentivo, discussões, e apoio durante esta jornada. Aos colegas grupo SOI-CMOS pelo incentivo, discussões, e apoio durante este trabalho. Ao Laboratório de Sistemas Integráveis da EPUSP, e ao IMEP-França pela infra-estrutura oferecida e ao CNPq e CAPES pelo apoio financeiro que permitiram a realização deste trabalho. A meus avós Alcides, Dirce e Pedro (in memorian) que não puderam ver onde cheguei, mas tenho certeza que mesmo de longe olham por mim. À minha avó Medina, pelo apoio, incentivo e principalmente por entender os momentos que não estive presente. A minha eterna professora de piano, Agda que desde 1.993 acompanha minha evolução, me apoiando e incentivando, na música, na minha carreira profissional e na minha vida pessoal.

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Moderate inversion model of ultrathin double-gate nMOS/SOI transistors

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