2018
DOI: 10.1007/s11082-018-1644-4
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Modeling the effects of interband and intraband transitions on phase and gain stabilities of quantum dot semiconductor optical amplifiers

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2020
2020
2022
2022

Publication Types

Select...
6

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 6 publications
(2 citation statements)
references
References 28 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Это открывает перспективы применения ОУ на основе КТ в оптических интегральных схемах, использующих спектральное уплотнение каналов. Теоретическое исследование КТ ОУ в основном затрагивало динамические эффекты [10][11][12]. В то же время в литературе практически отсутствуют работы [13], посвященные анализу статических характеристик КТ ОУ, более важных с точки зрения применения ОУ совместно с лазерами, работающими в непрерывном режиме.…”
Section: Introductionunclassified
“…Это открывает перспективы применения ОУ на основе КТ в оптических интегральных схемах, использующих спектральное уплотнение каналов. Теоретическое исследование КТ ОУ в основном затрагивало динамические эффекты [10][11][12]. В то же время в литературе практически отсутствуют работы [13], посвященные анализу статических характеристик КТ ОУ, более важных с точки зрения применения ОУ совместно с лазерами, работающими в непрерывном режиме.…”
Section: Introductionunclassified
“…В последнее время значительное внимание исследователей привлекли полупроводниковые оптические усилители (ОУ) на основе КТ [11][12][13][14]. ОУ может быть изготовлен из той же лазерной гетероструктуры, что и лазерный диод (ЛД), и отличается от последнего отсутствием обратной связи за счет сильного просветления граней резонатора, изогнутой формы резонатора и других кон-структивных особенностей.…”
Section: Introductionunclassified