Modeling of non-linear polysilicon resistors for analog circuit design

Virkus, R.L.; Weiser, Doug; Green, K.; Richardson, D.; Westphal, G.H.

doi:10.1109/icmts.2001.928643

Cited by 4 publications

(2 citation statements)

References 4 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Doğrusal olmayan davranışları genellikle analog simülasyon motorlarında hafife alınmıştır. Doğrusal olmayan etkilerden kaçınmak için analog tasarımcılar, fiziksel anlamda daha uzun dirençler kullanırlar, bu da daha büyük silisyum alanı ve dolayısıyla optimumun altında tasarım gerçekleştirmeleri ile sonuçlanır [9]. Bu nedenle, üzerinde çalışılan teknoloji için gerilimin doğrusallığının tam olarak anlaşılması gerekir.…”

Section: Polisilisyum Direnç Karakteristikleriunclassified

Entegre Dirençlerin Çift ve Tek Dereceli Bozulma Analizi

ZENCİR

2022

Fırat Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

Öz: Yarı iletken yükselteçlerdeki bozulma, esas olarak aktif cihazların giriş-çıkış özelliklerinde karşılaşılan yüksek dereceli katsayılardan kaynaklanmaktadır. Bipolar jonksiyonlu transistörler (BJT), bir üstel diyot akım-gerilim ilişkisi ile modellendiğinde, polarlama akımından ve diğer BJT parametrelerinden bağımsız olarak, 7.33 dBm'lik giriş üçüncü dereceden intermodülasyon ürünü (IIP3) üzerinde bir üst sınır gösterir. CMOS transistörler için, kanal uzunluk modülasyonuyla birlikte doğrusal olmayan büyük sinyal davranışı, ortak-kaynak konfigürasyonunda savak akımında üçüncü dereceden intermodülasyon ürünleri üretme potansiyeline sahiptir. Doğrusallığı bozma kaynaklarının sadece aktif cihazlardan kaynaklandığı fikri, analog devreleri analiz ederken eksik ve/veya yanıltıcı sonuçlara yol açar. Dirençlerin doğrusal olmama durumları, sistemin IIP3 değerinin sınırlandıran verimsiz/yanlış tasarım kararlarına ve gerilime bağlı doğrusal olmamaya neden olabilir. Bu makale, entegre dirençlerin doğrusallık bozulmalarını açıklar ve dirençlerin gerilim bağımlılığını sonlu IM3 ve IM2 ürünleri ile ilişkilendirir. Ayrıca, polisilisyum ve difüzyon dirençleri için direnç akımlarının IIP3 ve IIP2'si, genel devre doğrusallık gereksinimini sağlayacak şekilde direnç boyutlarının optimum seçimini gerçekleştirmek üzere kaleme alınmıştır.

show abstract

Section: Polisilisyum Direnç Karakteristikleriunclassified

Entegre Dirençlerin Çift ve Tek Dereceli Bozulma Analizi

ZENCİR

2022

Fırat Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…In the conventional way of industry, the modeling equations which include temperature-dependent characteristics (TDC) [2][3] and voltage-dependent characteristics (VDC) [4][5] are same in silicide and non-silicide poly-silicon resistor. With the CMOS technology being developed into 40nm, VDC has a secondary temperature effect only on non-silicide poly-silicon resistor.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Accurate SPICE Modeling of Poly-silicon Resistor in 40nm CMOS Technology Process for Analog Circuit Simulation

Sun

Shi

et al. 2015

MATEC Web of Conferences

View full text Add to dashboard Cite

In this paper, the SPICE model of poly resistor is accurately developed based on silicon data. To describe the non-linear R-V trend, the new correlation in temperature and voltage is found in non-silicide poly-silicon resistor. A scalable model is developed on the temperature-dependent characteristics (TDC) and the temperature-dependent voltage characteristics (TDVC) from the R-V data. Besides, the parasitic capacitance between poly and substrate are extracted from real silicon structure in replacing conventional simulation data. The capacitance data are tested through using on-wafer charge-induced-injection error-free charge-based capacitance measurement (CIEF-CBCM) technique which is driven by non-overlapping clock generation circuit. All modeling test structures are designed and fabricated through using 40nm CMOS technology process. The new SPICE model of poly-silicon resistor is more accurate to silicon for analog circuit simulation.

show abstract

Characterization and Modeling of Harmonics in SOI Poly-Silicon Resistors

Ruparelia¹,

Paul²

2021

2021 IEEE MTT-S International Microwave and RF Conference (IMARC)

View full text Add to dashboard Cite

Modeling of non-linear polysilicon resistors for analog circuit design

Cited by 4 publications

References 4 publications

Entegre Dirençlerin Çift ve Tek Dereceli Bozulma Analizi

Entegre Dirençlerin Çift ve Tek Dereceli Bozulma Analizi

Accurate SPICE Modeling of Poly-silicon Resistor in 40nm CMOS Technology Process for Analog Circuit Simulation

Characterization and Modeling of Harmonics in SOI Poly-Silicon Resistors

Contact Info

Product

Resources

About