Model of Steady-State Injection Processes in a High-Power Laser-Thyristor Based on Heterostructure With Internal Optical Feedback

Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (λ=905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

“…С целью оптимизации переходных характеристик многопереходной гетероструктуры ЛТ были разработаны сосредоточенная статическая [11] и одномерная динамическая модели [12], в которых ЛТ рассматривался в виде оптопары лазерный диод−фототранзистор, связанной по оптическому каналу. Было показано, что основными физическими процессами, отвечающими за работу прибора, являются оптическая обратная связь и ударная ионизация, а высокие скорости переходных процессов определяются исключительно ударной ионизацией [12].…”

Optical feedback in 905 nm power laser-thyristors based on AlGaAs/GaAs heterostructures

“…For example, the implementation of the separate confinement principle in the laser heterostructure results in the suppression of minority carriers injection across the laser part of heterostructure. As a result, as shown in [21], the thyristor heterostructure can be represented as an integrated optoelectronic pair constituted by a laser diode and a heterophototransistor (figure 1). Then, the nonlinear feedback effected by the photogeneration of an electron-hole plasma in the base of the heterophototransistor upon absorption of the emission generated by the laser part [21] must substantially improve the turn-on uniformity in the case of wide (hundreds of micrometers) stripe contacts.…”

“…As a result, as shown in [21], the thyristor heterostructure can be represented as an integrated optoelectronic pair constituted by a laser diode and a heterophototransistor (figure 1). Then, the nonlinear feedback effected by the photogeneration of an electron-hole plasma in the base of the heterophototransistor upon absorption of the emission generated by the laser part [21] must substantially improve the turn-on uniformity in the case of wide (hundreds of micrometers) stripe contacts. In addition, as shown experimentally in [17,22] and theoretically in [21,23], the photoactivation process affects the injection efficiency of the laser-thyristor.…”

“…Then, the nonlinear feedback effected by the photogeneration of an electron-hole plasma in the base of the heterophototransistor upon absorption of the emission generated by the laser part [21] must substantially improve the turn-on uniformity in the case of wide (hundreds of micrometers) stripe contacts. In addition, as shown experimentally in [17,22] and theoretically in [21,23], the photoactivation process affects the injection efficiency of the laser-thyristor. A deficiency of the photogenerated electron-hole plasma may give rise to a nonlinear dynamics of the laser pulse being generated and to an increase in the residual voltage across the collector junction [17,24].…”

Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

“…Нашим объектом исследования был выбран лазертиристор (ЛТ) полосковой конструкции (ширина полоска 200 µm), содержащий в одном кристалле оптопару лазерный диод−фототранзистор (см. [12]). Схематически конструкция, составы слоев и электрическая схема ЛТ представлены на рис.…”