Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (λ=905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

Abstract

Представлена двухмерная модель транспорта для исследования пространственной токовой динамики включения лазера-тиристора, учитывающая оптическую обратную связь, ударную ионизацию, насыщение скорости дрейфа в сильных электрических полях. Показано наличие локализации тока при включении лазера-тиристора и взаимосвязи между неоднородностью распределения тока управления в зависимости от его амплитуды и положения начальной области включения. Время включения лазера-тиристора составляет 13 нс при напряжении питания 26 В, время распространения включенного состояния на всю ширину 200 мкм полоска ~65 нс, данные параметры остаются неизменными в независимости от пространственной динамики включения. Ключевые слова: лазер-тиристор, локализация тока, AlGaAs/GaAs, ударная ионизация, транспорт в гетероструктурах.