Mobility Profiles in Self-Aligned WN_X-Undoped AlGaAs/n-GaAs/Undoped AlGaAs Doped-Channel Hetero-MISFETs

Abstract

Drift mobility profiles in self-aligned WNX-undoped AlGaAs/n-GaAs/undoped AlGaAs doped-channel hetero MISFETs (DMT) with different gate lengths are evaluated (L G=1, 2, 4, 9 µm). The mobility profiles peak between 1400 and 1600 cm2/Vs in the accumulation mode of operation. The drift mobility maximum is shifted to higher gate voltages with decreasing the gate length.

Резкое Уменьшение Подвижности Дырок При Снижении Внешним Напряжением Их Двумерной Концентрации В Дельта-Допированных Бором Слоях Алмаза

“…Эффект уменьшения подвижности носителей заряда при снижении их двумерной концентрации обедняющим напряжением известен в физике обычных полупроводников, например для электронов в Si-допированных квантовых ямах InGaAs в AlGaAs в проводящих каналах полевых транзисторов [16][17][18]. Однако при соответствующих вычислениях подвижности носителей заряда их рассеяние на ионизованных атомах допирующей примеси обычно рассматривается в борновском приближении, т. е. в рамках теории возмущений (см., например, [19]…”

Frequenzabhängige Kapazitäts-Spannungs-Messungen an Metall-Halbleiter-Randschichten / Frequency dependent admittance analysis on metal-semiconductor contacts

“…Darüber hinaus lassen sich Diffusionsspannungen in /w-Übergängen und MetallHalbleiter-(Schottky-)Kontakten [4; 5] oder Banddiskontinuitäten und Grenzflächenladungsdichten an HeteroÜbergängen bestimmen [6; 7]. Frequenzabhängige Kapazitäts-Spannungs-Messungen eignen sich für die Analyse der Volumenstörstellen [8], der Minoritäteninjektion [9; 10], der Störstellenverteilung an einer Metall-HalbleiterGrenzfläche [11; 12; 13], der Serienwiderstände [14][15][16][17] und der Beweglichkeitsprofile in Kanälen von Feldeffekttransistoren [17][18][19][20][21].…”