Frequenzabhängige Kapazitäts-Spannungs-Messungen an Metall-Halbleiter-Randschichten / Frequency dependent admittance analysis on metal-semiconductor contacts
Abstract:Schlagwörter: Kapazitäts-Spannungs-Messung, AdmittanzMessung, Schottky-DiodenDie Strukturierung von Schottky-Dioden fiir Kapazitäts-Spannungs-Messungen ist zeit-und kostenintensiv, da die Anoden und Kathoden in unterschiedlichen Verfahrensschritten hergestellt werden. Eine vereinfachte Herstellung, bei der die Schottky-und die ohmschen Kontakte gleichzeitig strukturiert und metallisiert werden, führt zu frequenzabhängigen Dioden-Admittanzen, die durch Serienwiderstandseffekte, Minoritäteninjektion und Störste… Show more
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