Measurement of Mobility in HEMT Devices Using High-Order Derivatives

Rafael-Valdivia, Guillermo; Ibáñez, Tomás Fernández; Rodriguez‐Tellez, J.; Puente, Antonio Tazón; Sánchez, Ángel Mediavilla

doi:10.1109/ted.2003.820938

Cited by 8 publications

(1 citation statement)

References 18 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Con el objetivo de demostrar la coherencia física del modelo propuesto, se procedió a modelar y extraer la movilidad electrónica del transistor. Para ello, se usó el método de las derivadas de orden superior [14] el cual permite calcular la movilidad a partir del parámetro "gmd" (segunda derivada de Ids). El parámetro "gmd" fue extraído analíticamente derivando la ecuación propuesta de Ids usando Matlab.…”

Section: Método De Diseño De Amplificador De Potenciaunclassified

Modelo compacto con capacidad de predicción de parámetros físicos para amplificadores de RF

Rafael-Valdivia

2019

Rev. Fac. Ing.

View full text Add to dashboard Cite

En el presente trabajo se ha presentado un análisis de transistores de efecto de campo usando fuentes de voltaje pulsadas. Se han realizado medidas de microondas en dispositivos de tecnología HEMT’s y LDMOS poniendo en evidencia la diferencia entre el comportamiento estático y dinámico de dichos dispositivos. En base a las medidas se ha realizado un procesamiento de datos derivando una nueva ecuación con la capacidad de reproducir ambos tipos de comportamiento con elevada precisión y en diferentes puntos de operación. Consecuentemente el trabajo aporta un nuevo modelo basado en un circuito no lineal de cuatro terminales. La relevancia de este modelo es la capacidad de predecir los efectos físicos como la dispersión frecuencial y la movilidad electrónica del dispositivo semiconductor. Esto es importante pues la dispersión frecuencial es uno de los problemas más importantes de los sistemas de comunicación modernos que genera efectos memoria limitando la capacidad de transmitir señales de gran ancho de banda. El hecho de poder predecir la movilidad electrónica y la dispersión frecuencial ayudan al diseñador de circuitos a mejorar su calidad y tiempo de diseño. Además, permite a la industria de fabricación de componentes de RF ahorrar costos de producción pues esta técnica permite predecir el comportamiento de los circuitos antes de implementarlos. La metodología para la obtención del modelo compacto ha sido validada a través de la implementación de un amplificador de potencia en tecnología LDMOS usando la técnica propuesta. El modelo propuesto es abierto puesto que la nueva técnica propuesta se puede implementar en cualquiera de los modelos convencionales usados actualmente en el ámbito industrial y académico.

show abstract

Section: Método De Diseño De Amplificador De Potenciaunclassified