Luminescence of Ga2O3 Crystals Excited with a Runaway Electron Beam

Спектрально-кинетические закономерности свечения кристаллов Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- при возбуждении пучком электронов наносекундной и субнаносекундной длительности

“…Спектры излучения Ga 2 O 3 на установке № 2 в первом режиме измерялись с помощью спектрометра OceanOptics HR2000 + ES (диапазон 190−1100 nm, разрешение ∼ 0.9 nm). Также в этом режиме, как и в работах [4,5,13], амплитудно-временные характеристики излучения в области 225−700 nm исследовались с высоким временным разрешением. Для этого применялся фотодиод PD025.…”

“…Как и в работе [4], характеристики монокристаллических пластин β-Ga 2 O 3 , выращенных методом Степанова (EFG-метод, производитель -Tamura Corp. [2]), исследовались при температуре 300 К. Использовались пластины, легированные Fe и Sn. Более подробно характеристики этих пластин, а также экспериментальная аппаратура описаны в работе [4].…”

“…Кристаллы Ga 2 O 3 последние годы исследуются различными научными группами, в том числе начато изучение люминесценции данных кристаллов при возбуждении пучком электронов и УФ излучением [1][2][3][4][5]. Рассматривается возможность применения кристаллов Ga 2 O 3 для создания датчиков излучения Вавилова-Черенкова (ИВЧ) в установках типа ТОКАМАК [4,5].…”

“…В работе [4] было показано, что спектры свечения кристаллов Ga 2 O 3 , возбуждаемых пучком электронов и УФ излучением, существенно зависят от используемого легирования. Наибольшую интенсивность при возбуждении пучком электронов кристаллов Ga 2 O 3 , легированных Sn, имеет полоса импульсной катодолюминесценции (ИКЛ) в области 300−450 nm.…”

“…ИВЧ в работах [4,5] было зарегистрировано только в области 250−300 nm. В этой области исследованные кристаллы Ga 2 O 3 были еще прозрачны, а катодолюминесценция имела малую интенсивность.…”