Luminescence degradation of InGaN/GaN violet LEDs

Деградация ультрафиолетовых светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN, вызванная кратковременными воздействиями током

“…Журнал технической физики, 2022, том 92, вып. 2 а) в экспериментах не наблюдается роста оптической энергии излучения при старении повышенными токами [24,25]; б) рост наблюдается, но он весьма незначителен по сравнению с наблюдаемым нами -на уровне нескольких процентов ≤ 5% (5% только в части исследованных в работе светодиодов [8]) и авторы или не обращают на него внимание читателей [7,26], по нашему мнению, возможно, относя его к погрешностям измерений [27], или в отличие от наших вольт-амперных зависимостей рост сопровождается увеличением напряжения благодаря деградации омического контакта [7,28].…”

Enhance Light Emitting Diode Light Extraction Efficiency by an Optimized Spherical Cap-Shaped Patterned Sapphire Substrate

“…1) Accordingly, GaN-based semiconductors as the most promising materials for fabrication of blue and white LEDs since p-GaN was successfully doped by Akasaki have recently attracted intensive interests. [2][3][4][5] Though LEDs' luminous efficiency has been far beyond the level of filament lamp, to cope with the market demand for high power lighting and make full use of LEDs' superiorities, i.e., energy conservation and high reliability, higher luminous efficiency for LEDs is inevitably demanded. In general, luminous efficiency depends on both internal and external quantum efficiency.…”