Low-temperature ion conductivity of RbAg4I5

Pinkowski, A.; Chierchie, T.; Lorenz, W.J.

doi:10.1016/0022-0728(90)87124-3

Cited by 17 publications

(4 citation statements)

References 21 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…

{RbAg}_{4} {normalI}_{5}

undergoes two phase transitions . A second‐order phase transition at 209 K shows an Ising‐like behavior at heat capacity and another with an abrupt change in the heat capacity with small latent heat at 120 K (first‐order transition). This solid electrolyte promises the development of high‐power solid‐state batteries …”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Diffusion Study for α‐RbAg₄I₅ System by Molecular Dynamics

Burbano

Lara

Correa

2020

Physica Status Solidi (b)

View full text Add to dashboard Cite

The RbAg4normalI5 compound is a typical fast ion conductor. Several theoretical models for explaining this transport ion dynamic have been proposed. However, there are few studies reported on computer modeling. Herein, to study the diffusion of cation mobility, classical molecular dynamic (MD) simulations are conducted. The interstitial Ag1, Ag2, and Ag4 sites present high occupancy sites, where their activation energy is of the order of thermal energy, providing channels of high mobility. About 60.13% of the ions have a preference to occupy the Ag1 site, 27.89% for the Ag2 site with no apparent distinction for the jump between any of them, 10.26% for the Ag4 site, and a lower occupancy probability for the others, according to experimental data. Jump diffusion mechanism in α‐RbAg4normalI5 is a collective phenomenon where one cation is pushed to adjacent free sites due to the close presence of other ions of the same species, following channels Ag1→Ag2→Ag1. The results of MD show advantaged paths to Ag‐ion transport, which agrees with experimental data. This fact makes its study highly relevant to improve the understanding of the superionic state.

show abstract

“…

{RbAg}_{4} {normalI}_{5}

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Diffusion Study for α‐RbAg₄I₅ System by Molecular Dynamics

Burbano

Lara

Correa

2020

Physica Status Solidi (b)

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Η παράμετρος c i κυμαίνεται πολλές τάξεις μεγέθους στους στερεούς ηλεκτρολύτες. Στους καλούς στερεούς ηλεκτρολύτες όπως στην Νa-β''-αλουμίνα και το RbAg 4 I 5 [21,22], όλα τα ιόντα Νa + /Ag + είναι εν δυνάμει ευκίνητα και έτσι η συγκέντρωση c μεγιστοποιείται. Στο άλλο άκρο, στα καθαρά στοιχειομετρικά άλατα όπως στο NaCl, η ιοντική αγωγιμότητα εξαρτάται από τη παρουσία Κεφάλαιο 1 Α. Καζακόπουλος -Διδακτορική διατριβή 6 κρυσταλλικών ατελειών, είτε κενών θέσεων είτε ενδόθετων θέσεων και η συγκέντρωση τους είναι εξαιρετικά μικρή στη θερμοκρασία δωματίου.…”

Section: σ υ γ κ ε ν τ ρ ω σ ε ι σ κ ι ν ο υ μ ε ν ω ν ι ο ν τ ω ν η ε π ι δ ρ α σ η τ ω ν π ρ ο σ μ ι ξ ε ω νunclassified

“…Μελέτη της ιοντικής αγωγιμότητας στερεών ηλεκτρολυτών Εισαγωγή 9 σε θερμοκρασία 146 ο C. Παρόμοια συμπεριφορά σε θερμοκρασία δωματίου εμφανίζουν διάφορα σύνθετα άλατα όπως το RbAg 4 I 5 [21,22]. O α-AgI, είναι από πολλές απόψεις, ένας ιδανικός ηλεκτρολύτης [25,26].…”

Section: υ λ ι κ α μ ε δ ι α τ α ρ α γ μ ε ν α υ π ο π λ ε γ μ α τ α : α -A G Iunclassified

“…Ένα επιπρόσθετο πλεονέκτημα προέρχεται από το γεγονός ότι ο α-AgI είναι στοιχειομετρικός, δεν χρειάζονται προσμίξεις για την επίτευξη της υψηλής του αγωγιμότητας και στην πραγματικότητα δεν επηρεάζεται από την παρουσία προσμίξεων. Ένα σημαντικό μειονέκτημα του α-AgI είναι ότι είναι σταθερός μόνο σε υψηλότερες θερμοκρασίες, >147 ο C. Παρόμοια χαρακτηριστικά υπάρχουν σε υλικά σε θερμοκρασία δωματίου όπως στο RbAg 4 I 5 [21,22].…”

Section: υ λ ι κ α μ ε δ ι α τ α ρ α γ μ ε ν α υ π ο π λ ε γ μ α τ α : α -A G Iunclassified

See 1 more Smart Citation

Μελέτη Της Ιοντικής Αγωγιμότητας Στερεών Ηλεκτρολυτών

Καζακόπουλος¹

View full text Add to dashboard Cite

viii ix Ε υ χ α ρ ι σ τ ί ε ςΜε την ευκαιρία της ολοκλήρωσης της παρούσας διατριβής αισθάνομαι την υποχρέωση να ευχαριστήσω όλους εκείνους που βοήθησαν με κάθε τρόπο στην περάτωση της. Ειδικότερα: Αρχικά ευχαριστώ τον Αναπληρωτή Καθηγητή Ορέστη Καλογήρου που μου έδωσε την δυνατότητα να ασχοληθώ με το σύγχρονο επιστημονικό πεδίο των ηλεκτρικών μετρήσεων υλικών τα οποία σχετίζονται με υλικά καθόδου σε επαναφορτιζόμενες μπαταρίες λιθίου καθώς και σε αισθητήρες υγρασίας. Η καθοδήγηση του κατά την διάρκεια της εκπόνησης της εργασίας, η ηθική του στήριξη, που δεν φανταζόταν πόσο ανάγκη την είχα, και η άμεση ανταπόκριση σε οποιοδήποτε πρόβλημα προέκυπτε ήταν πολύτιμες. Τον Αναπληρωτή Καθηγητή Κωνσταντίνο Ευθυμιάδη, μέλος της τριμελούς συμβουλευτικής επιτροπής για την θαυμάσια ιδέα που μου έδωσε να χρησιμοποιήσω την γλώσσα Visual Basic for Applications προκειμένου να αναπτύξω το πρόγραμμα για την λήψη αυτοματοποιημένων μετρήσεων σύνθετης αντίστασης. Όπως οι περισσότεροι χρήστες του Excel αγνοούσα αυτό το μαγικό και εύχρηστο προγραμματιστικό εργαλείο το οποίο είναι κρυμμένο από πίσω του. Έτσι τα αποτελέσματα των αυτοματοποιημένων ηλεκτρικών μετρήσεων εμφανιζόταν κατευθείαν πάνω σε φύλλα του excel έτοιμα για επεξεργασία! Τον τέως Καθηγητή Αναγνώστη Στεργίου, μέλος της τριμελούς επιτροπής για τις πολύτιμες συμβουλές του σε θέματα κρυσταλλικών δομών. Την Επίκουρο καθηγήτρια Ελένη Παυλίδου που πάντα με χαμόγελο και εγκάρδιο χαιρετισμό δεχόταν τα δείγματα για τον χαρακτηρισμό των ενώσεων με Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Σάρωσης (SEM) και με Μικροαναλυτή Ηλεκτρονικής Δέσμης (EDS). Τον Αναπληρωτή Καθηγητή του Τμήματος Ηλεκτρολόγων του ΑΠΘ Γεώργιο Λιτσαρδάκη για την άμεση ανταπόκριση του για τον δομικό χαρακτηρισμό των ενώσεων με ακτίνες Χ, για τις σχετικές συζητήσεις, καθώς και για την διαμόρφωση δισκίων των ενώσεων.

show abstract

Physics of the Switching Kinetics in Resistive Memories

Menzel¹,

Böttger

Wimmer

et al. 2015

Adv Funct Materials

258

224

View full text Add to dashboard Cite

Memristive cells based on different physical effects, that is, phase change, valence change, and electrochemical processes, are discussed with respect to their potential to overcome the voltage–time dilemma that is crucial for an application in storage devices. Strongly non‐linear switching kinetics are required, spanning more than 15 orders of magnitude in time. Temperature‐driven and field‐driven crystallization, threshold switching, ion migration, as well as redox reactions at interfaces are identified as relevant mechanisms. In phase change materials the combination of a reversible threshold switching and extremely large crystal growth velocities at high voltages enables ultra‐fast resistive switching whereas lower voltages will not be sufficient to overcome the energy barrier for crystallization. In electrochemical cells it depends on the voltage regime, which mechanism is the rate‐determining one for switching. While electro‐crystallization dominates at low voltages, electron transfer in the medium voltage range and a mixture of electron transfer and ion migration at high voltages. In valence change materials, ion migration is found to be accelerated by a combined effect of electric field and local temperature increase due to Joule heating. All discussed types of resistive switches can provide sufficient non‐linearity of switching kinetics for overcoming the voltage time dilemma.

show abstract

Low-temperature ion conductivity of RbAg4I5

Cited by 17 publications

References 21 publications

Diffusion Study for α‐RbAg₄I₅ System by Molecular Dynamics

Diffusion Study for α‐RbAg₄I₅ System by Molecular Dynamics

Μελέτη Της Ιοντικής Αγωγιμότητας Στερεών Ηλεκτρολυτών

Physics of the Switching Kinetics in Resistive Memories

Contact Info

Product

Resources

About

Low-temperature ion conductivity of RbAg4I5

Cited by 17 publications

References 21 publications

Diffusion Study for α‐RbAg4I5 System by Molecular Dynamics

Diffusion Study for α‐RbAg4I5 System by Molecular Dynamics

Μελέτη Της Ιοντικής Αγωγιμότητας Στερεών Ηλεκτρολυτών

Physics of the Switching Kinetics in Resistive Memories

Contact Info

Product

Resources

About

Diffusion Study for α‐RbAg₄I₅ System by Molecular Dynamics

Diffusion Study for α‐RbAg₄I₅ System by Molecular Dynamics