Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition

Matveev, S. A.; Денисов, С. А.; Гусейнов, Д. В.; Trushin, V. N.; Нежданов, А. В.; Филатов, Д. О.; Шенгуров, В. Г.

doi:10.1088/1742-6596/541/1/012026

Cited by 9 publications

(7 citation statements)

References 5 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Результаты рентгенодифракционных исследований показали, что ЭС n + -Ge : P/Si(001) были практически полностью релаксированными. Значения FWHM кривых качания были сопоставимы со значениями, полученными ранее для нелегированных ЭС Ge/Si(001) [8]. В таблице также приведены значения концентрации электронов n и подвижности электронов µ в ЭС n + -Ge : P/Si(001), определенные из холловских измерений.…”

Section: результаты эксперимента и их обсуждениеunclassified

Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) n-типа проводимости

Prokhorov¹,

Шенгуров²,

Денисов³

et al. 2019

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

The photoluminescence spectra of epitaxial n ^+-Ge:P/Si(001) structures are studied. The structures are grown by hot-wire chemical vapor deposition and doped with phosphorus to the maximum electron concentration 1 × 10^20 cm^–3 from a source based on thermally decomposed GaP. The effects of the doping level and rapid thermal annealing of n ^+-Ge:P layers on the photoluminescence spectra are studied. It is demonstrated that the epitaxial n ^+-Ge:P/Si(001) layers grown by hot-wire chemical vapor deposition are promising for application as active regions of light-emitting optoelectronic devices operating in the near-infrared spectral region.

show abstract

Section: результаты эксперимента и их обсуждениеunclassified

Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) n-типа проводимости

Prokhorov¹,

Шенгуров²,

Денисов³

et al. 2019

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The technology of growing III-V semiconductor layers on Si substrates via a Ge transition layer formed by different methods [6][7][8][9] (including the hot wire chemical vapor deposition [10,11]) is considered well-developed [8,12]. Hot wire chemical vapor deposition (HW CVD) has several advantages among analogs: no need to use expensive equipment providing high vacuum, low growth temperature (~350°C), high growth rate with retained high quality of the Ge layer (~2 Å/s) [13], and passivation of the surface, on which GeH n radicals involved in the epitaxial growth of Ge on Si are deposited, with atomic hydrogen [14]. Although the upper layer of the SOI heterostructure is Si, it is a nontrivial problem to grow a Ge layer on SOI.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Growth of a Ge Layer on a Si/SiO2/Si(100) Structure by the Hot Wire Chemical Vapor Deposition

et al. 2020

View full text Add to dashboard Cite

Ge/Si layers are formed on Si/SiO 2 /Si(100) substrates and are investigated for different growth temperatures. The Si layer is grown by molecular-beam epitaxy, while the Ge layer is produced by the hot wire chemical vapor deposition. Structural studies are carried out using high-resolution transmission electron microscopy and reflection high-energy electron diffraction. Such structures are promising for the growth of high-quality light-emitting structures on them, which are compatible with silicon radiation-resistant integrated circuits. It is shown that a single-crystal Ge layer can be grown on Si/SiO 2 /Si(100) via a Si buffer layer by the hot wire chemical vapor deposition, and the difficulties arising during the growth of Ge/Si layers on Si/SiO 2 /Si(100) are demonstrated.

show abstract

“…Технология наращивания полупроводниковых слоев А III В V на подложках Si через переходный слой Ge, формируемый разными методами [6][7][8][9], включая метод " горячей проволоки" [10,11], считается уже отработанной [8,12]. Химическое осаждение из горячей проволоки имеет ряд преимуществ среди аналогов: отсутствие дорогостоящего оборудования, создающего и поддерживающего высокий вакуум, низкая температура роста, ∼ 350 • С, высокая скорость роста при сохранении качества слоя Ge, ∼ 2 ¦ /с [13], пассивация атомарным водородом поверхности, на которой происходит осаждение радикалов GeH n , участвующих в эпитаксиальном росте Ge на Si [14]. Несмотря на то что верхним слоем гетероструктуры КНИ является Si, рост слоя Ge на КНИ -не тривиальная задача.…”

Section: Introductionunclassified

Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO-=SUB=-2-=/SUB=-/Si (100) методом "горячей проволоки"

Sushkov¹,

Pavlov²,

Денисов³

et al. 2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Ge/Si buffer layers grown at different temperatures on Si/SiO2/Si (100) substrates have been fabricated and studied. The Si buffer was grown via molecular beam epitaxy. The Ge layer was produced in a single stage via hot wire chemical vapor deposition process. Structural properties were investigated by high-resolution transmission electron microscopy and reflected high-energy electron diffraction. Such structures can be used in the future as a substrate for growth of high quality light-emitting structures compatible with silicon radiation-resistant integrated circuits. The paper shows the possibility of growth of a single crystal layer of Ge on Si/SiO2/Si (100) through a buffer layer of Si by the hot wire chemical vapor deposition process, and also demonstrates the difficulties that arise in the process of growth of Ge/Si layers on Si/SiO2/Si (100).

show abstract

Low temperature growth of the epitaxial Ge layers on Si(100) by Hot Wire Chemical Vapor Deposition

Cited by 9 publications

References 5 publications

Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) n-типа проводимости

Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) n-типа проводимости

Growth of a Ge Layer on a Si/SiO2/Si(100) Structure by the Hot Wire Chemical Vapor Deposition

Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO-=SUB=-2-=/SUB=-/Si (100) методом "горячей проволоки"

Contact Info

Product

Resources

About