2015
DOI: 10.1016/j.spjpm.2015.03.014
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Local analysis of semiconductor nanoobjects by scanning tunneling atomic force microscopy

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2016
2016
2019
2019

Publication Types

Select...
3
3
1

Relationship

0
7

Authors

Journals

citations
Cited by 9 publications
(2 citation statements)
references
References 5 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…В качестве третьего типа зародышевого слоя исполь-зовались нанокомпозиты ZnO−SiO 2 , полученные золь-гель технологией [15][16][17][18][19][20]. Прекурсоры, хлорид цинка ZnСl 2 и тетраэтоксисилан (ТЭОС) Si(OC 2 H 5 ) 4 , рас-творяли в изопропиловом спирте.…”
Section: экспериментunclassified
“…В качестве третьего типа зародышевого слоя исполь-зовались нанокомпозиты ZnO−SiO 2 , полученные золь-гель технологией [15][16][17][18][19][20]. Прекурсоры, хлорид цинка ZnСl 2 и тетраэтоксисилан (ТЭОС) Si(OC 2 H 5 ) 4 , рас-творяли в изопропиловом спирте.…”
Section: экспериментunclassified
“…Для создания виртуального прибора была использована визуальная среда программирования LabVIEW, которая с успехом используется для реализации решений в области образования и науки [3,4].…”
unclassified