2012
DOI: 10.1007/s10854-012-0932-1
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Investigation of the ZnSxSe1-x thin films prepared by chemical bath deposition

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2017
2017
2024
2024

Publication Types

Select...
6

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 7 publications
(2 citation statements)
references
References 19 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Поверхня плівок змінюється так, що на початку вона є упакована сферичними частинками приблизно однакового малого розміру (~120-150 нм). Наприкінці осадження розміри частинок збільшуються до ~300 нм для плівок ZnSe і ~500 нм -для плівок ZnS x Se 1 Останніми роками напівпровідникові сполуки II-VI широко використовують як тонкоплівкові буферні шари сонячних елементів. Також є необхідність у розробці безкадмієвмісних плівкових матеріалів.…”
unclassified
See 1 more Smart Citation
“…Поверхня плівок змінюється так, що на початку вона є упакована сферичними частинками приблизно однакового малого розміру (~120-150 нм). Наприкінці осадження розміри частинок збільшуються до ~300 нм для плівок ZnSe і ~500 нм -для плівок ZnS x Se 1 Останніми роками напівпровідникові сполуки II-VI широко використовують як тонкоплівкові буферні шари сонячних елементів. Також є необхідність у розробці безкадмієвмісних плівкових матеріалів.…”
unclassified
“…Також є необхідність у розробці безкадмієвмісних плівкових матеріалів. Тонкі плівки ZnSe і ZnS x Se 1-x є перспективними матеріалами для виробництва буферних шарів сонячних батарей [1]. Ці плівки є нетоксичними і збільшують чутливість у короткохвильовому діапазоні.…”
unclassified