Investigation of the Influence of Dx Centers on Hemt Operation at Room Temperature

Abstract

A study of DX centers in GaAlAs layers is presented, both experimental and theoretical. It is shown that due to DX centers, at room temperature, the microwave transconductance of HEMTs can be considerably higher than that obtained from the DC regime, and approaches the values which could be expected if DX centers did not exist. As a result, for room temperature applications, special structures designed in order to eliminate DX centers are not really necessary

Etude des effets parasites affectant le fonctionnement des transistors à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel

“…Notre propos n'est pas de minorer les effets que peut avoir ce centre à basse température, mais au niveau des effets parasites observés à température ambiante il n'intervient pas. Dans cet ordre d'idée, il a été récemment établi que le centre DX ne perturbait pas les performances hyperfréquences à température ambiante [16].…”