Investigation of spinodal decomposition of InGaAsP solid solutions grown by the MOCVD technique

Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (λ=1064 нм)

“…Моделирование характеристик ФЭП лазерного излучения [5] показывает, что как при равномерном, так и при гауссовом распределении освещенности, и при мощностях ЛИ P ≈ 2−10 Вт в GaInAsP/InP-преобразо-вателях достижима монохроматическая (λ = 1064 нм) эффективность ∼ (50−55)%. Однако практическое получение высококачественных гетероструктур GaInAsP/InP необходимых составов осложняется близостью к области спинодального распада твердого раствора [11].…”

Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

“…20 In 0.80 P 0.54 As 0.46 , выращенная на подложке InP [9]. Однако в данной системе материа-лов наблюдаются технологические сложности с ростом четверных твердых растворов с двумя компонентами V группы, в которых наблюдается спинодальный распад в области указанного состава [10].…”