Interband‐Current Theory for Esaki Diodes

Abstract

A new theoretical concept for calculating diode characteristics is presented, using the splitting of the total current into an intraband and intcrband part. The direct calculation of the interband current inside the junction leads to results, which agree considerably better with experimental data, than the results of the traditional theory. Furthermore, the formalism allows t o consider many-body effects without of conceptual difficulties. E s wird ein neues theoretisches Konzept zur Berechnung von Diodencharakteristiken vorgestellt, welches von der Aufspaltung des Gesamtstromes in Intra-und Interbandanteil ausgeht. Die direkte Berechnung des Interbandstromes, der innerhalb des p-n-tfberganges flieDt, fuhrt zu Ergebnissen, die merklich besser mit experimentellen Daten iibereinstimmen, als die Ergebnisse der traditionellen Theorie. AuDerdem ist der Formalismus in der Lage, Vielteilcheneffekte ohne konzeptionelle Schwierigkeiten zu besohreiben.

Modeling direct band-to-band tunneling: From bulk to quantum-confined semiconductor devices

“…Inter-material tunneling processes can also be incorporated in the one-band EMA model by treating material parameters in Eqs. (18), (20), and (21) as position-dependent quantities.…”