Interaction of hot carriers with optical phonons in Selenium

Single-carrier impact ionization favored by a limited band dispersion

“…Monkhorst-Pack k-point mesh [14]. The deviation between theoretical and experimental structural parameters did not exceed 4% [15].…”

First-principle prediction of single-carrier avalanche multiplication in chalcopyrite semiconductors

“…In conjunction with the week electron-phonon coupling inherent to holes in t-Se [15,23], these properties favor the single-carrier impact ionization.…”

Лазерно-индуцированные фазовые превращения в стеклообразных пленках Se, полученных вакуумно-термическим испарением

“…1, кривые 2, 3). Согласно[21], линия рассеяния с частотным сдвигом 230−240 cm −1 обусловлена колебаниями в цепях Se−Se. Было обнаружено, что при увеличении Типичные спектры КРС пленок Se, полученные до (1) и после их лазерного облучения на длине волны 632.8 nm в течение t = 5 s в разных точках при плотностях лазерной мощности PS = 50 (2), 510 (3), 3560 W/cm 2 (4).…”

“…После облучения пленок Se при P S > 510 W/cm 2 в спектрах КРС наблюдается единственная высокоинтенсивная колебательная мода 232 cm −1 . При этом компонента 237 cm −1 (линия симметричных колебаний связей Se−Se[3,21]) остается низкоинтенсивной. Было установлено, что при t > 5 s в диапазоне плотностей мощности 50−510 W/cm 2 в спектрах КРС остается единственная высокоинтенсивная колебательная мода 232 cm −1 , которая, согласно[21], относится к E 1 -моде, связанной с атомным смещением вдоль цепей Se−Se.…”

“…При этом компонента 237 cm −1 (линия симметричных колебаний связей Se−Se[3,21]) остается низкоинтенсивной. Было установлено, что при t > 5 s в диапазоне плотностей мощности 50−510 W/cm 2 в спектрах КРС остается единственная высокоинтенсивная колебательная мода 232 cm −1 , которая, согласно[21], относится к E 1 -моде, связанной с атомным смещением вдоль цепей Se−Se. При уменьшении t до 1 s отношение интенсивностей колебательных мод I (250 cm −1 )/I (232 cm −1 ) незначительно увеличивается.…”