Аннотация. Теоретически исследовано нелинейное взаимодействие миллиметровых электромагнитных волн высокого уровня мощности с кремниевыми интегральными p-in -структурами, помещенными в металлический волновод. Проведена оценка уровня двойной инжекции носителей заряда вследствие детектирования электрического поля высокого уровня интенсивности миллиметрового диапазона в p-in -структурах. Сформулировано математическую модель взаимного влияния электромагнитных волн и инжектированных носителей зарядов в активной области p-in -структур. Найдено численное решение нелинейного уравнения Гельмгольца, дополненного надлежащими граничными условиями на границе активной области. Влияние электромагнитной волны высокого уровня мощности приводит к избыточной инжекции носителей в активную область полупроводника между p +-i, n +-i инжектирующими контактами и перераспределению электрического поля внутри структуры. Коэффициенты отражения и прохождения резко меняются с изменением входной амплитуды электромагнитной волны. Это приводит к бистабильности этих коэффициентов. Бистабильность более выражена в низкочастотной части мм диапазона.