Infrared Photoluminescence in Narrow-Gap Semiconductors

Infrared photoluminescence characterization of HgCdTe film

“…Then photoluminescence peak became thinner with the FWHM of only 9meV, the fitting calculated W value for the peak is only 1.9 meV. It is much smaller than the W value reported [1,9,15], and is the narrowest photoluminescence peak ever been reported to our knowledge. The X-ray diffraction result shows that the annealing indeed enhanced the crystal lattice perfection, which decreases the Wvalue, too.…”

“…The photoluminescence from the HgCd1Te with smaller cadmium composition x normally has relative simple structure which is composed only by one band to band transition peak [1,8], but a lot of information related with the material properties still can be obtained, e.g., the Urbach band tail energy. Urbach band tail energy is an important parameter to evaluate the crystal perfection [9,10] since the crystal imperfection e.g.…”

“…Despite the fact that HgCdTe have been available for more than 40 years, only the past ten years have seen increased use of photoluminescence spectroscopic as a tool for the assessment of HgCdTe films [1]. This development has been stimulated by the emergency of the new epitaxial growth techniques, which enhanced the crystal perfection and allow the investigator to characterize the properties of HgCdTe itself.…”

Влияние Флуктуаций Состава На Излучательную Рекомбинацию В Узкозонных Полупроводниковых Твердых Растворах

“…1, b, при низкой температуре наблюдается значительное расхождение E PL и расчет-ного значения E g , а с повышением температуры это расхождение исчезает. Для структур на основе КРТ это обычно объясняется тем, что " межзонная" ФЛ представ-ляет собой излучение, обусловленное рекомбинацией экситонов, локализованных на флуктуациях химическо-го состава твердого раствора [8][9][10][11][12][14][15][16][17]. При этом разница между E PL и E g прямо или опосредованно должна определять некую условную энергию локализа-ции экситона и соответственно характеризовать масштаб флуктуаций [15][16][17].…”

“…Поскольку в реальном эксперименте толщина излучающих слоев со-ставляла несколько микрометров, т. е. соответствовала трехмерному случаю, при сопоставлении с двумерной моделью мы пренебрежем величиной q 2 под корнем в формуле (14), после чего интеграл берется до конца и В таком приближении вероятность переходов между электронными состояниями определяется лишь их ко-ординатами, а соотношение импульсов не играет ро-ли, т. е. мы предположили, что излишек импульса все-гда унесется фононом. Для учета статистики фононов введем функцию распределения Бозе-Эйнштейна для энергии, соответствующей переходу между некоторыми электронными состояниями 1 и 2,…”