Information Depth in Optical Beam Induced Examination of Semiconductor Materials and Devices

Abstract

The interaction is considered of a focused light beam with a semi-infinite semiconductor and the volume discussed which the photogenerated carriers probe. An information depth is introduced, within which the majority of the carriers are generated, and the effects are discussed of diffusion length, surface recombination velocity, and probe objective lens numerical aperture. The application of the results to photoluminescence studies is also considered.Es wird die Wechselwirkung eines fokussierten Lichtstrahles mit einem halbunendlichen Halbleiter betrachtet und das Volumen diskutiert, das die photogenerierten Trager sondiert. Eine Informationstiefe wird eingefiihrt, innerhalb derer die Majoritat der Ladungstrager generiert wird, und der EinfluIJ der Diffusionslange, Oberflachenrekombinationsgeschwindigkeit und der numerischen Apertur der Sondenobjektivlinse werden diskutiert. Die Anwendung der Ergebnisse auf Photolumineszenzuntersuchungen wird ebenfalls betrachtet. L2 DV 2 p ( r , x) --P ( T , z ) = --g(r, 2 ) 3 1) Parks Road, Oxford OX1 3PJ, Great Britain. 41 physica (a) 103/2

Time-dependent information depth in optical probing of semiconductor materials and devices

“…1. This agrees with the limit obtained in the previous steady state theory [14], the factor 2.3 (= ln 10) is of course somewhat arbitrary and depends on our choice of the 90% criterion for the information depth. Fig.…”