Influence of the Design Parameters on the Electrophysical Characteristics of the Anisotropic Magnetoresistive Transducers of the Magnetic Field with Barber Poles

Особенности Расчета И Исследования Вольт-Эрстедной Характеристики Анизотропного Магниторезистивного Датчика

“…Датчики магнитного поля (ДМП) на основе магниторезистивных (МР) нанополосок с токовой неоднородностью низкорезистивных шунтов " barber-polе" продолжают активно исследоваться с целью улучшения их характеристик [1][2][3][4]. В настоящей работе экспериментально и теоретически исследовано влияние магнитного поля собственного тока ДМП, вызванного напряжением питания (V in ), на его вольт-эрстедную характеристику (ВЭХ) и установлено влияние этого фактора на чувствительность, нелинейность и коэрцитивность.…”

“…Технологический центр" изготовлены и исследованы АМР-преобразователи со следующими параметрами магниторезисторов: ширина МР-плоски 10 µm, расстояние между низкорезистивными шунтами 5 µm, их ширина 3 µm. При объединении МР-полосок в мостовую схему [3][4][5] образуется четырехполюсник, на входные полюса которого подается входное напряжение V in . Если поместить АМР ДМП во внешнее магнитное поле H, направленное перпендикулярно полоскам [5], то под действием поля произойдет отклонение вектора намагниченности M в каждой малой области полоски на некоторый угол θ. Это приведет к изменению сопротивления данной области в соответствии с анизотропным магниторезистивным эффектом [1] и, следовательно, к изменению сопротивления МР-полосок АМР ДМП и изменению выходного напряжения V out .…”

Features of Calculation and Investigation of Volt–Oersted Characteristics of an Anisotropic Magnetoresistive Sensor

“…Magnetic field sensors (MFSs) based on magnetoresistive (MR) nanostrips with inhomogeneity of current of low-resistive shunts ("barber-polе"-type) continue to be actively investigated in order to improve their characteristics [1][2][3][4]. In this work, we experimentally and theoretically studied the influence of the magnetic field of an MFS caused by supply voltage V in on its volt-oersted performance (VОeP) and established its effect on sensitivity, nonlinearity, and coercivity.…”

“…AMR converters with the following parameters of magnetoresistors were manufactured and investigated at Scientific-Manufacturing Complex "Technological Centre": the width of the MR strip is 10 μm, the distance between the low-resistance shunts is 5 μm, their width is 3 μm. When the MR strips are combined into a bridge circuit [3][4][5], a four-port network is formed, the input poles of which are supplied with the input voltage V in . If the AMR AEM is placed in external magnetic field Н directed perpendicular to the strips [5], then, under the action of the field, there will be a deviation of magnetization vector M in each small region of the strip on some angle θ.…”