Influence of the back-gate bias on the electron mobility of trigate MOSFETs

Abstract

The influence of the back-gate bias on the threshold voltage and on the electron mobility of silicon trigate devices over ultra-thin-box is studied. The analysis confirms the possibility of achieving body factors higher than γ=0.1 as long as the channel width over height ratio is increased as much as possible. Also, the strong impact of the back-gate bias on the electron mobility is demonstrated using state-of-the-art scattering models for 2D confined devices.

Influência do potencial de substrato sobre o ruído de baixa frequência de nanofios transistores MOS

“…Fonte: Autor A Figura 53 apresenta a µeff extraída pelo método de Split-CV sob diversas polarizações de substrato. Com foi observado em (RUIZ, et al, 2013), a mobilidade efetiva varia com VBS em transistores de porta tripla devido a mudança da posição de inversão do canal ao longo do filme de silício. É possível observar que há uma redução da mobilidade com a redução de VBS.…”

Efeitos da aplicação de técnicas de aprimoramento de desempenho em transistores SOI CMOS de tecnologias totalmente depletadas promissoras

“…A redução no confinamento de cargas na primeira interface, que ficam mais difundidas no semicondutor, também leva à redução no espalhamento fônon (RUIZ et al, 2013). Assim, é possível afirmar que a variação da mobilidade com a polarização do substrato tem origem essencialmente na redistribuição espacial das cargas de inversão na região de canal e nas interfaces.…”