Inductively Coupled Plasma Sputtering: Structure of IV-VI Semiconductors

Features of the Formation and Growth Films Based of PbTe on Mica

“…На даний момент зусилля багатьох науковців спрямовані на розробку нових матеріалів та пристроїв із застосуванням нанотехнологій [1,2]. Останнє пред'являє вимоги до розвитку та вдосконалення методів дослідження наноструктур і нанооб'єктів, які повинні дозволити отримувати достовірні кількісні їх характеристики.…”

“…Робочі характеристики цих приладових структур визначаються морфологічними особливостями та топологією конденсатів [2,8]. Легування PbTe гетеровалентними домішками п'ятої групи (Sb, Bi) зумовлює модифікацію електронної і фононної підсистем кристала, що веде до покращення термоелектричних властивостей [9].…”

“…Плюмбум телурид і сполуки на його основі, зарекомендували себе ефективними промисловими матеріалами для застосування в термоелектриці [4,5]. Зокрема PbTe -ефективний термоелектричний матеріал для середньотемпературної області (500-750) К, що пояснюється значною величиною відношення його електропровідності до граткової теплопровідності [6,7].Робочі характеристики цих приладових структур визначаються морфологічними особливостями та топологією конденсатів [2,8]. Легування PbTe гетеровалентними домішками п'ятої групи (Sb, Bi) зумовлює модифікацію електронної і фононної підсистем кристала, що веде до покращення термоелектричних властивостей [9].…”

“…При даному механізмі відсутня необхідність в утворенні зародків. Проміжним, між відзначеними вище двома, є механізм зародження Странскі-Крастанова, який передбачає на початкових етапах осадження утворення так званого змочувального шару з подальшим ростом тривимірних наноструктур за рахунок зняття пружних деформацій [2]. …”

Annealing and plasma treatment effect on structural, morphological and topographical properties of evaporated β-In2S3 films

“…Several methods have been used to modify the physical properties of In 2 S 3 thin films, such as adding impurity elements in the material [8,9], post-deposition annealing [10][11][12][13], treating with gas plasma [14] and swift heavy ion or gamma irradiations [15,16]. It is known that plasma treatment of binary metal chalcogenides and complex compounds based on them in argon plasma leads to new phenomena associated with nanostructuring of the surface [17]. This is due to the presence of volatile chalcogen and of low melting point metals that enhance the effect of nanostructure formation.…”