“…В современных исследованиях полупроводниковых наногетероструктур использование метода высокораз-решающей рентгеновской дифрактометрии позволяет решать целый ряд задач, среди которых определение параметров эпитаксиальных структур, уточнение соста-ва слоев, разделение деформаций и разориентаций в эпитаксиальных слоях, a также определение степени релаксации параметров кристаллической решетки эпи-таксиальных слоев к параметру подложки в гетерострук-турах [9,25,30,31].…”