Epitaxial alloys of AlxGa1−xAs:Mg with different types of conductivity

Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией

“…Хорошо известно, что одним из подходов, часто используемых при производстве оптоэлектронных компонент, является рост гетероструктур на подложках с отклонением от стандартного направления роста монокристалла, т. е. с разориентацией [13,14]. Так, в наших предыдущих работах мы уже обращали внимание на то, что использование подложек GaAs [15] и Si [16][17][18][19] с разориентацией и предварительной обработкой [20] позволяет не только контролировать и эффективно управлять морфологией поверхности тонких эпитаксиальных пленок при гомо- [15] и гетероэпитаксиальном [21] росте методом MOCVD, но и контролировать их оптические характеристики, а также форму, разпределение и размеры неоднородностей на поверхности эпитаксиальной пленки, тип и концентрацию введенной примеси [21]. Поэтому мы предполагаем, что эффективное управление функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs также может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек GaAs.…”