High-Power InGaAs/InP Partially Depleted Absorber Photodiodes for Microwave Generation

Малышев, С. А.; Chizh, A.; Vasileuski, Y.G.

doi:10.1109/jlt.2008.927594

Cited by 8 publications

(1 citation statement)

References 22 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Для использования преимуществ волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов (низких потерь, сверхширокой полосы пропускания, устойчивости к помехам, малой массы [3]) требуется применение мощных высокоскоростных фотодиодов [4]. Как известно, при высокой мощности оптического излучения для фотодиодов характерно насыщение фототока, обусловленное влиянием пространственного заряда, а также эффектом саморазогрева при протекании фототока [5][6][7][8]. Это указывает на необходимость оптимизации отвода тепла от фотодиода и снижения влияния эффекта пространственного заряда.…”

unclassified

Мощные Высокоскоростные Фотодиоды Шоттки Для Аналоговых Волоконно-Оптических Линий Передачи Свч-Сигналов

Чиж¹,

Микитчук²,

Журавлев³

et al. 2019

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

The design and technology of manufacturing of high-power Schottky barrier UHF-photodiodes with microstrip contacts made on the basis of InAlAs/InGaAs heterostructures have been developed. The operation frequency of 15-micron diameter photodiodes is greater than 25 GHz, while the maximum attainable output UHF power exceeds 50 mW at a frequency of 20 GHz. This allows one to utilize these photodiodes in analog fiber-optic UHF signal transmission lines as well as for generation and processing of UHF signals by optical techniques in radar systems and UHF measurement and instrumentation.

show abstract

unclassified