High performance active pixel sensors fabricated in a standard 2.0 μm CMOS technology

Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica

“…Por fim, o comportamento do efeito de corpo foi avaliado na Os resultados alcançados com este sensor de pixel ativo são satisfatórios e, mesmo utilizando uma tecnologia extremamente simples, superam circuitos CMOS já projetados e fabricados pelo grupo de pesquisa. Sua corrente no escuro é menor que os valores relatados em [11], [30] e [31], em tecnologia CMOS de 2 m, e [32], em CMOS 0,35 m. A excursão do sinal de saída é maior do que os valores obtidos nas citações anteriores, além disso, este APS não sofre grandes variações na excursão com o aumento da intensidade de luz incidente, como descrito em [11], [30], [33] e [34].…”

“…Considerando que o tempo de integração, τ int , é da ordem de dezenas de micro-segundos em cada pixel, a corrente no escuro é desprezível e pode ser tratada como offset. Os APSs obtiveram melhores respostas quando comparados a outros projetados e fabricados pelo grupo de pesquisa, como relatado em [11,30,37,38]. Estes resultados indicam a possibilidade de bom desempenho em circuitos voltados para aplicações específicas, como sensores ópticos de posição (PSDs) e sensores de frente de onda.…”