DOI: 10.47749/t/unicamp.2009.476903
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Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica

Abstract: Aos funcionários do CCS e do LPD que contribuíram para realização do trabalho.• A CAPES, pelo apoio financeiro. Dedico este trabalho à minha mãe,Gloria, e ao meu pai, Gilson, por terem me dado apoio, confiança e incentivo para a sua conclusão. ResumoSensores de Pixel Ativo (APS) baseados em tecnologia nMOS simples e com alta razão de aspecto podem apresentar boa sensibilidade para fotodetecção e oferecer uma opção de baixo custo para circuitos de sensoreamento de imagens. Neste trabalho são apresentados o leia… Show more

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