Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 μm

Babichev, A. V.; Gladyshev, A. G.; Filimonov, A. V.; Неведомский, В. Н.; Kurochkin, A. S.; Kolodeznyi, E. S.; Sokolovskiĭ, G. S.; Bugrov, V. E.; Karachinsky, L. Ya.; Novikov, I. I.; Bousseksou, Adel; Egorov, A. Yu.

doi:10.1134/s1063785017070173

Cited by 43 publications

(22 citation statements)

References 15 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Гетероструктуры ККЛ изготовлены на установке Riber 49, оснащенной твердотельным источником мы-шьяка крекерного типа и источниками марки ABI 1000 для создания потоков галлия и индия [23]. ).…”

Section: экспериментunclassified

“…Предварительно в каче-стве небольшого буферного слоя, перед выращиванием второй активной области, на поверхности гетерострук-туры сформирован слой In 0.53 Ga 0.47 As толщиной 20 нм и уровнем легирования 5 · 10 16 см −3 . Для создания второй активной области с длиной волны 7.6 мкм использована конструкция с двухфононным резонансным рассеяни-ем носителей заряда [23]. Измерения спектров рентгеновской дифракции с вы-соким разрешением проведены вблизи симметрично-го рефлекса (004) InP на дифрактометре PANalytical X'PertPro в параллельной геометрии пучка рентгенов-ского излучения.…”

Section: экспериментunclassified

“…2 показаны экспериментальные рентгеновские дифракционные кривые гетероструктур одночастотных (кривые A, B) и двухчастотного ККЛ (кривая C). Кри-вые A и B соответствуют гетероструктурам ККЛ с длиной волны генерации вблизи 9.6 и 7.6 мкм (данные кривой B приведены для сравнения [23]) соответственно. Пик от подложки InP отмечен пунктирной линией.…”

Section: результаты и их обсуждениеunclassified

“…Гетероструктура ККЛ с длиной волны генерации вбли-зи 7.6 мкм демонстрирует существенную полуширину пиков-сателлитов (ширина на полувысоте составляет порядка 100 ′′ ) на дифракционной кривой (кривая B). Возможно, это связано с тем, что для создания гете-роструктуры последовательно использовались два эпи-таксиальных метода: металлоорганическая газофазная эпитаксия для выращивания нижней обкладки гетеро-структуры, а затем МПЭ для выращивания остальной части ККЛ [23]. В свою очередь дифракционные кривые гетероструктур одночастотного и двухчастотного ККЛ, выращенных полностью методом МПЭ, демонстриру-ют узкие пики-сателлиты, свойственные периодической Кривая B соответствует гетероструктуре ККЛ с длиной волны генерации 7.6 мкм.…”

Section: результаты и их обсуждениеunclassified

See 3 more Smart Citations

Гетероструктуры Одночастотных И Двухчастотных Квантово-Каскадных Лазеров

Бабичев¹,

Курочкин²,

Колодезный³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

The results of development of the basic structure and technological conditions of growing heterostructures for single- and dual-frequency quantum-cascade lasers are reported. The heterostructure for a dual-frequency quantum-cascade laser includes cascades emitting at wavelengths of 9.6 and 7.6 μm. On the basis of the suggested heterostructure, it is possible to develop a quantum-cascade laser operating at a difference frequency of 8 THz. The heterostructures for the quantum-cascade laser are grown using molecularbeam epitaxy. The methods of X-ray diffraction and emission electron microscopy are used to study the structural properties of the fabricated heterostructures. Good agreement between the specified and realized thicknesses of the epitaxial layers and a high uniformity of the chemical composition and thicknesses of the epitaxial layers over the area of the heterostructure is demonstrated. A stripe-structured quantum-cascade laser is fabricated; its generation at a wavelength of 9.6 μm is demonstrated.

show abstract

Section: экспериментunclassified

Section: результаты и их обсуждениеunclassified

See 2 more Smart Citations

Гетероструктуры Одночастотных И Двухчастотных Квантово-Каскадных Лазеров

Бабичев¹,

Курочкин²,

Колодезный³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…По-сле выращивания каскадов последовательно формирова-лись слои In 0.53 Ga 0.47 As с уровнем легирования 1 · 10 17 и 1 · 10 19 см −3 , толщинами 0.1 и 0.02 мкм соответственно. Детальное описание конструкции гетероструктуры ККЛ представлено в работе [29].…”

Section: экспериментunclassified

Лазерная Генерация Многопериодных Квантово-Каскадных Лазеров На Длине Волны Излучения 8 Мкм При Комнатной Температуре

Бабичев¹,

Гладышев²,

Курочкин³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Room-temperature lasing at a wavelength of 8 μm in multistage quantum-cascade lasers pumped by current pulses is demonstrated. A quantum-cascade laser heterostructure based on the In_0.53Ga_0.47As/A_l0.48In_0.52As alloy heteropair, matched to an InP substrate, is grown by molecular-beam epitaxy and consists of 50 identical cascades placed in a waveguide with air as the top cladding. A threshold current density of ~5.1 kA/cm^2 at a temperature of 300 K is obtained in ridge lasers with a cavity length of 1.4 mm and a ridge width of 24 μm.

show abstract