Hall-Konstante und Elektronenbeweglichkeit von InSb, InAs und In (As_0.8 P_0,2) bei hohen Magnetfeldern

Abstract

HALL-Konstante und Elektronenbeweglichkeit wurden an drei verschiedenen III — V-Halbleitern, die für die technische Anwendung der galvanomagnetischen Effekte von besonderem Interesse sind, bis zu Magnetfeldern von 180 kG gemessen. Die HALL-Konstante von InAs und In (Aso,8 Po,2) ist im Rahmen der Meßgenauigkeit feldunabhängig, während die HALL-Konstante von InSb bis 170 kG um 15% abfällt. HALL-Generatoren aus InAs und InAsP sind daher für die Messung höchster Magnetfelder geeignet. Da die Elektronenbeweglichkeit bei allen drei Materialien mit wachsendem Magnetfeld stark abnimmt, durchläuft der HALL-Winkel in Abhängigkeit vom Magnetfeld ein Maximum.