Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring

Jmerik, V. N.; Mizerov, A. M.; Нечаев, Д. В.; Aseev, Pavel; Ситникова, A. А.; Troshkov, S. I.; Kop’ev, P. S.; Иванов, С. В.

doi:10.1016/j.jcrysgro.2012.06.025

Cited by 53 publications

(32 citation statements)

References 17 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…и 2D-GaN (∼ 1 µm) использовался метод металл-модулированной эпи-таксии [9]. Для in situ диагностики роста использовались две системы лазерной рефлектометрии на основе полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения λ = 532 nm.…”

Section: поступило в редакцию 28 сентября 2016 гunclassified

Контроль Упругих Напряжений С Помощью Оптической Системы Измерения Кривизны Подложки При Росте Гетероструктур III-N Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии

Золотухин¹,

Нечаев²,

Ivanov³

et al. 2017

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Описывается оригинальная оптическая система измерений кривизны подложек (ОСИКП), позволяющая с высокой точностью исследовать процессы генерации и релаксации упругих напряжений во время роста гетероструктур (ГС) на основе нитридных соединений III-N методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии (ПА МПЭ). Применение разработанной ОСИКП для анализа роста ГС GaN/AlN/Si(111) позволило не только детально пронаблюдать динамику изменения упругих напряжений в этой структуре при ее металлобогащенном росте низкотемпературной ПА МПЭ, но и разработать конструкцию ГС, исключающую эффект растрескивания слоев за счет контроля величины сжимающих напряжений. DOI: 10.21883/PJTF.2017.05.44363.16508

show abstract

Section: поступило в редакцию 28 сентября 2016 гunclassified

Контроль Упругих Напряжений С Помощью Оптической Системы Измерения Кривизны Подложки При Росте Гетероструктур III-N Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии

Золотухин¹,

Нечаев²,

Ivanov³

et al. 2017

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The AlNnucleation layers (NLs) inboth structures were grown by MEE with alternating Al and N fluxes having an intensity ratio of 1.2,as described in [1].The NLs with thickness of 65(30) nm were grown at substrate temperatures of TS=700(740)°Cin samples A(B), respectively. Then, thick AlN buffer layers of 455 and 170 nmin thickness were grown by MMEwith the same flux ratio III/N ~1.7 in samples A and B, respectively, as described in [2]. Finally, top GaN layers with thickness of 2.8 and 1 µm in structures A and B were grown by MME and standard PA MBE at TS=700°C, respectively.…”

Section: Experiments and Estimationsmentioning

confidence: 99%

Stress in (Al, Ga)N heterostructures grown on 6H-SiC and Si substrates byplasma-assisted molecular beam epitaxy

Koshelev

Нечаев

Ситникова

et al. 2017

J. Phys.: Conf. Ser.

View full text Add to dashboard Cite

(111) substrates. We demonstrate that application of migration enhanced epitaxy and metal-modulated epitaxy for growth of AlN nucleation and buffer layers lowers the screw and edge(total)threading dislocation (TD) densities down to 1.7·10 8 and 2·10 9 cm -2 , respectively, in a 2.8-µm-thick GaN buffer layer grown atop of AlN/6H-SiC. The screw and total TD densities of 1.2·10 9 and 7.4·10 9 cm -2 , respectively, were achieved in a 1-µm-thickGaN/AlNheterostructure on Si(111).Stress generation and relaxation in GaN/AlN heterostructures were investigated by using multi-beam optical stress sensor (MOSS) to achieve zero substrate curvature at room temperature. It isdemonstrated that a 1-µm-thick GaN/AlN buffer layer grown by PA MBE provides planar substrate morphology in the case of growth on Si substrates whereas 5-µm-thick GaN buffer layers have to be used to achieve the same when growing on 6H-SiC substrates.

show abstract

“…Энергия связи экситона достигает макси-мального значения ∼ 48 meV в узких квантовых ямах (менее 10 ¦ ) для композиции с наибольшими составами, причем зависимость энергии связи от состава определя-ется в первую очередь быстрым ростом эффективных масс электронов и дырок с ростом концентрации Al [14]. • C, как подробно описано в наших предыдущих работах [15][16][17]. Рост барьерного слоя Al y Ga 1−y N толщиной 35 nm начинался в условиях обогащения металлом (F Al + F Ga /F N ≥ 2) при отношениях ростовых потоков алюминия и азота, обеспечивавших постоянное содержание Al в слоях с y ∼ 0.6.…”

Section: теоретическая оптимизацияunclassified

Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K

Торопов¹,

Шевченко²,

Шубина³

et al. 2016

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Представлены результаты теоретической оптимизации конструкции гетероструктур с квантовыми ямами на основе твердых растворов AlGaN с целью достижения максимальной энергии активации носите-лей заряда и максимальной энергии связи экситона при длине волны излучения ∼ 300 nm. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота изготовлен образец оптимизированной конструкции, в котором излучательная рекомбинация доминирует во всем диапазоне температур от 5 до 300 K, а внутренний квантовый выход при комнатной температуре составляет порядка 80% от величины, измеренной при 5 K.Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 14-22-00107).

show abstract

Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring

Cited by 53 publications

References 17 publications

Контроль Упругих Напряжений С Помощью Оптической Системы Измерения Кривизны Подложки При Росте Гетероструктур III-N Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии

Контроль Упругих Напряжений С Помощью Оптической Системы Измерения Кривизны Подложки При Росте Гетероструктур III-N Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии

Stress in (Al, Ga)N heterostructures grown on 6H-SiC and Si substrates byplasma-assisted molecular beam epitaxy

Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K

Contact Info

Product

Resources

About