Growth and electrical properties of liquid phase epitaxial layers of Ga_xIn_1‐xP lattice‐matched to GaAs substrates

Abstract

From the measurement of the evaporation rate of phosphorus the favourable conditions for the layer growth were determined. Further, we have studied the influence of zinc and silicon on the growth and the morphology. The mobilities, the electron and hole concentrations in the temperature range from 77 to 300 K are presented. I n the Si-doped samples we could not find a correlation between the silicon concentration in the melt and the donor concentrations in the layer. An estimation of the acceptor ionization energy in Zn-doped samples yields E A = (15 f 4) meV.Aus Messungen der Phosphorverdampfungsgeschwindigkeit wurden die gunstigsten Bedingungen fur die Schichtabscheidung ermittelt. Weiterhin wurde der EinfluS von Zink und Silicium auf das Wachstum und die Morphologie der Schichten studiert. Elektronenund Locherkonzentrationen wurden im Temperaturbereich von 77 bis 300 K ermittelt und diskutiert. Bei den Si-dotierten Proben konnte keine Korrelation zwischen dem Si-Gehalt in der Schmelze und der Donatorkonzentration in der Schicht erhalten werden. Eine Abschatzung der Akzeptor-Ionisierungsenergie bei Zn-dotierten Proben ergab E A = (15 f 4) meV.