Growth and characterization of IV–VI semiconductor heterostructures on (100) BaF2

Infrared Sensor on the Basis of Lead-Tin Chalcogenide Multicomponent Solid Solutions

“…Поряд з цим, при побудові інфрачервоних детекторів, не менш важливою проблемою є вибір відносно недоро-гої та досить ефективної методики одержання високоякісних ЕШ -основи для формування фотодіодів Шотткі. Станом на сьогодні, рідинна епітаксія (РЕ) залишається одним з перспектив-них методів вирощування ізоперіодних ЕШ БТР Pb 1-x Sn x Te 1-y Se y з низькою концентрацією носіїв струму при заданому складі і типі провідності, виключаючи легування [6][7][8].…”

Optical studies on Zn-doped lead chalcogenide (PbSe)100−xZnx thin films composed of nanoparticles

“…Lead Chalcogenides have been promising materials due to their numerous applications in the field of IR-detector, sensors, solar cells, photoresistor, thermoelectric devices etc. Many recent applications such as IR-emitter, solar control coatings have also drawn renewed attention in these materials [1][2][3][4][5][6][7]. Lead chalcogenides have narrow band-gap, high dielectric constant, high transmittance and high carrier mobility [8][9].…”

Optical and photoconductive properties of Pb0.9Sn0.1Se nano-structured thin films deposited by thermal vacuum evaporation and pulsed laser deposition

“…The IV-VI compound systems based on lead, Sn and Se are important class of narrow band gap semiconductors that have potentials applications in optoelectronics device [1][2][3][4][5][6][7][8]. Such applications are IR laser diodes and photo detectors working in the wavelength range 3-30 m. This IR spectral range can be covered either by change the Pb-Sn composition from 0.0 to 0.45 that the absorption edge of the compound decreases as composition increases or by partially replacement of the selenium atom by tellurium [9][10][11].…”