Galvanomagnetic Effects in III–V Compound Semiconductors

Abstract

The influence of various structural characteristics in the III–V compounds on galvanomagnetic properties is discussed. Evidence for the scattering of charge carriers by polar optical modes is reviewed, and the behavior of Hall and magnetoresistance coefficients is examined in regard to the conduction band structure. Unique characteristics, imparted by light masses in certain bands, include high mobilities and large magnetoeffects associated either with transport in the band or with ionization energies of the impurity centers. The importance of avoiding inhomogeneities, either in specimen or in magnetic field, when measuring Hall coefficient or magnetoresistance in high-mobility materials is emphasized. Illustrations are given of the effects of nonuniformities in carrier concentration or in applied magnetic field on various galvanomagnetic phenomena.

Hole transport in pure and doped GaAs

“…7 This method is valid when transport in each band can be described by a relaxation time and by a constant current density. 7 In addition to the impurity characteristics, some of the important parameters, such as the acoustic deformation potential and coupling coefficient for interband scattering by optical phonons, are determined and discussed here.…”

Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев

“…В обычных pHEMT гетероструктурах величина магнитосопротивления на порядок больше [16]. К положительному магнитосопротивлению и нелиней-ности коэффициента Холла в магнитном поле могут приводить следующие причины: 1) зависимость време-ни релаксации импульса от энергии, 2) существование нескольких групп носителей заряда, 3) несферичность поверхности постоянной энергии, 4) наличие нескольких эквивалентных энергетических минимумов, 5) присут-ствие посторонних включений (в том числе магнитных), 6) влияние геометрии образца [25,26]. Поскольку GaAs прямозонный однодолинный полупроводник со сфери-ческой поверхностью Ферми, технология выращивания которого хорошо отработана, существенными являются только первые два фактора.…”

Large magnetoresistance of insulating silicon films with superconducting nanoprecipitates

“…6 shows that the model calculations can reproduce the experimental data of field sweeps quite well. In the case of the high resistance sample the normal state transport follows the Efros-Shklovskii hopping (ESH) law with n=1/2 in equation (3). 59 This is an indication for higher Coulomb barriers in the quasiparticle hopping process.…”