Gallium content-dependent efficiency limits of CIGS solar cells at AM1.5G solar irradiance

Komilov, A.

doi:10.1117/1.jpe.11.035501

Cited by 6 publications

(3 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Seen in this light, the superposition of CIGS active layers offers the possibility of substituting indium (In) with gallium (Ga) in very large proportions while improving the cell's performance; this is not the case with the single CIGS active layer cell. 50 In recent work, researchers have used the CGS layer as a second active layer or as an EBR. 51 4.4.…”

Section: Influence Of the Stepped Energy Level Gap Onmentioning

confidence: 99%

Lowering Cost Approach for CIGS-Based Solar Cell Through Optimizing Band Gap Profile and Doping of Stacked Active Layers─SCAPS Modeling

et al. 2023

View full text Add to dashboard Cite

In this research article, we carry out investigation on compensating the efficiency loss in thin-film CIGS photovoltaic (PV) cell due to absorber coat depth reduction. We demonstrate that the efficiency loss is mainly caused by the disruption of the charge-carrier transport. We propose an architecture engineered with a stepped band gap profile for improving the efficiency of charge-carrier transport and collection. By modifying the gallium content, we tuned the band gap profile of the active layer of a reference experimental cell from which we previously collected all parameters. Using the simulator environment SCAPS-1D, we modeled a three-steps stacking profile of active layer with different gallium contents from one layer to another. Based on the results obtained, the band gap configuration herein proposed appears to be a prospective strategy for high-performance ultrathin Cu(In,Ga)Se2-based PV cell architecture engineering. By combining this approach with the optimization of the active layer doping, we enhanced the yields of the reference structure from 18.93% for a 2 μm active layer to 23.36% for only 0.5 μm thickness of active layer, that is, an enhancement of 4.4%. The fill factor increased from 73.24 to 81.73%, that is, an additional stability indicator value of 8.5%. The good values of the obtained efficiency and the improvement of the fill factor value are relevant indicators of a stable device. Active layer stacking combined with a stepped band gap profile and doping level optimization is definitely providing new perspectives in thin-film CIGS high-performance PV cell achievement.

show abstract

Section: Influence Of the Stepped Energy Level Gap Onmentioning

confidence: 99%

Lowering Cost Approach for CIGS-Based Solar Cell Through Optimizing Band Gap Profile and Doping of Stacked Active Layers─SCAPS Modeling

et al. 2023

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Образование дефектов на поверхности кристаллов при воздействии на них атомными частицами всегда интересовало исследователей из-за широкого использования этих материалов в поверхностной инженерии [1][2][3], оптоэлектронике [4][5][6], фотовольтаике [7][8], космическом материа-ловедении [9][10] и других областях науки и техники [11][12][13]. На сегодняшний день высокотехнологичные материалы, в отличие от объемных, имеют особые поверхностные свойства со специальными рабочими характеристиками [14].…”

Section: Introductionunclassified

Исследование образования дефектов на поверхности кристаллов LiF при бомбардировке ионами цезия

Шаропов¹

2022

УФЖ

View full text Add to dashboard Cite

В настоящей работе рассмотрены экспериментальные результаты по исследованию образования дефектов на поверхности кристаллов LiF при облучении ионами с использованием методик спектроскопии полного тока (ПТ), вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и программного комплекса SRIM. Проведенные исследования на кристалле LiF при ионном облучении показали, что работает ударный механизм образования дефектов, при этом наблюдается последовательное образование кластерных центров до их коалесценции в коллоидные центры. При ионном облучении наблюдается фазовый переход поверхности кристалла LiF с образованием коллоидных центров с последующей металлизацией поверхности, а также скоплением кластеров нейтральных атомов фтора (пузырьков). Показано, что при облучении ионами образуется большая концентрация вакансий и междоузельных дефектов на поверхности и в объеме кристалла.

show abstract

“…Одним из наиболее востребованных материалов современной микро-и наноэлектроники остается монокристаллический кремний и диоксид кремния [1,2]. Так, в последнее время, благодаря созданию квантово-размерных структур на кремнии [3][4][5] преодолена трудность его использования в фотоэлектронике из-за низкой вероятности излучательной рекомбинации [6][7], и тем самым получен новый импульс его широкого применения в названных областях науки и техники [8].…”

Section: Introductionunclassified

Cпектроскопия Полного Тока Окисленного Кремния

Шаропов¹

2021

УФЖ

View full text Add to dashboard Cite

В настоящей работе рассмотрены экспериментальные данные окисления поверхности кремния в вакууме при последующем отжиге, полученные методом спектроскопии полного тока. Проведенные исследования показали, что при использовании температурного отжига для очистки поверхности кремния от загрязнений есть свои плюсы и минусы. Нельзя допустить длительный отжиг при высоких температурах, который приводит к окислению кремния. А использование кратковременной вспышки можно использовать только для удаления физически (не химически) адсорбированного слоя атомов.

show abstract

Gallium content-dependent efficiency limits of CIGS solar cells at AM1.5G solar irradiance

Cited by 6 publications

References 0 publications

Lowering Cost Approach for CIGS-Based Solar Cell Through Optimizing Band Gap Profile and Doping of Stacked Active Layers─SCAPS Modeling

Lowering Cost Approach for CIGS-Based Solar Cell Through Optimizing Band Gap Profile and Doping of Stacked Active Layers─SCAPS Modeling

Исследование образования дефектов на поверхности кристаллов LiF при бомбардировке ионами цезия

Cпектроскопия Полного Тока Окисленного Кремния

Contact Info

Product

Resources

About