Gallium arsenide traveling-wave field-effect transistors

Holden, A.J.; Daniel, D.; Davies, I.; Oxley, C. H.; Rees, H.D.

doi:10.1109/t-ed.1985.21910

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“…Dieses Ergebnis deckt sich mit den Resultaten aus [4]. Bei geeigneter Modifikation jedoch sind Bereiche mit o£<0 zu erwarten [17]. Voraussetzungen dafür sind eine signifikante Verringerung der Leiterverluste auf dem Gate und eine hohe Steilheit g m .…”

Section: Wellengrößenunclassified

Verteilte Effekte in Höchstfrequenz-Feldeffekttransistoren

Heinrich¹

1988

Frequenz

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Übersicht:Eine FET-Rauschanalyse wird vorgestellt, die die Wellenausbreitung entlang der Elektroden berücksichtigt. Anhand der Ergebnisse werden die Frage nach der Gültigkeit konzentrierter Modelle für Höchstfrequenz-FET und Möglichkeiten zur Nutzung der verteilten Effekte diskutiert.Abstract: A FET-noisc analysis is presented that accounts for the wave-propagation effects along the electrodes. Its results arc used to clarify, whether lumped-element noise modeling holds for mm-wave transistors, and to discuss a travelling-wave FET concept.Für die Dokumentation: FET / Rauschen / Klcinsignalcrsatzschaltbild / Wellenausbreitung

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Section: Wellengrößenunclassified

Verteilte Effekte in Höchstfrequenz-Feldeffekttransistoren

Heinrich¹

1988

Frequenz

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“…Il semble toutefois que l'extension de ces résultats aux fréquences millimétriques soit un enjeu relativement difficile à l'heure actuelle compte tenu des difficultés de réalisation de ces composants en technologie monolithique. Par ailleurs, signalons que des travaux visent à étudier et tirer parti des effets de propagation dans les structures FET continûment distribuées [75]. 5.…”

Section: Composants Distribués -Nous Nous Limite-unclassified

Perspectives de forte puissance à l'état solide en ondes millimétriques

Lippens

Friscourt

Rolland

et al. 1987

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Le formidable effort fait actuellement dans les laboratoires sur les composants de type tripôle pose la question du choix d'un composant pour la génération de puissance en ondes millimétriques, actuellement dominée par les dipôles à résistance négative. Dans cet article, nous essayons de répondre à cette question en considérant les composants à effet de champ (MESFET et TEGFET) bipolaire à hétérojonction (HBT), à transfert électronique (diode GUNN) et à ionisation par choc (diodes IMPATT). Nous montrons que dans le bas de la bande millimétrique les performances des composants tripôles en amplificateur de puissance tendent de plus en plus à être comparables à celles obtenues pour les composants dipôles en régime d'oscillation (typiquement 1 W à 30 GHz). Par contre pour des fréquences de l'ordre et supérieures à 100 GHz les composants dipôles se révèlent les plus puissants

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“…Many ingenious structures [1][2][3][4][5] have been proposed to overcome this problem and even to take advantage of traveling wave effects on FET electrodes, in particular, the so-called "growing mode". However, due to the extreme complexity of propagation phenomena in these devices, only partial success has been achieved, amplification being limited to very strict operating conditions and generally narrow frequency windows.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Modeling and Optimization of Traveling Wave Field Effect Transistors

Byl

Crosnier

1991

Journal of Electromagnetic Waves and Applications

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This paper provides new insight on traveling wave phenomena, along the transverse direction, in field effect transistors. Specially designed structures are proposed, either in single gate form or in dual gate form, which allow overcoming inherent limitations due to gate losses and realizing on-chip wideband amplifiers. Demonstration of these capabilities is done using testing and modeling procedures based on distributed equivalent circuits.

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Gallium arsenide traveling-wave field-effect transistors

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Verteilte Effekte in Höchstfrequenz-Feldeffekttransistoren

Verteilte Effekte in Höchstfrequenz-Feldeffekttransistoren

Perspectives de forte puissance à l'état solide en ondes millimétriques

Modeling and Optimization of Traveling Wave Field Effect Transistors

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