Functionalization of nc-Si/SiO2 semiconductor quantum dots by oligonucleotides

Резонансное Рассеяние Света Оптическими Фононами В Кристалле Алмаза С Азотозамещенной Вакансией

“…Возбуждение спектров рамановского рассеяния света осуществлялось излучением второй гармоники непрерывного лазера на алюмоиттриевом гранате с длиной волны λ i = 532.070 нм и непрерывного гелий-неонового лазера с λ i = 632.817 нм по методике, приведенной в [18][19][20]. Использовался образец пластины монокристалла алмаза с размерами 3.0 × 2.5 × 0.5 мм.…”

Резонансное рассеяние света оптическими фононами в гомоэпитксиальном нанослое n-GaP, выращенном на подложке (001)n-GaP

“…В последующие годы теория многозонного резонансного рассеяния света и развитые в [15][16][17][18] подходы были подтверждены и использованы в [19][20][21][22] и с их учетом были пересчитаны результаты ранее выполненных исследований по однофононному [19][20][21] и двухононному [22] резонансному рамановского рассеянию света оптическими фононами для ряда классических полупроводников соединений А 3 В 5 группы -GaP, GaAs, GaSb и InP, а также подтверждены для многих полупроводниковых материалов -от объемных до низкоразмерных наноструктур (например, [23][24][25][26][27][28][29][30][31][32][33][34][35][36][37][38][39] и многочисленными другими исследованиями, основывающимся на результатах использования подходов, разработанных в оригинальных работах [15][16][17][18][19][20][21]). Недавно, показано, что в кристаллах алмаза, легированных азотом, формирование большого числа электронных уровней, связанных с точечными азотно-вакансионными дефектами (nitrogen-vacancy NV сenter), обладающими уникальными спин-зависимыми свойствами, обусловило наиболее яркое проявление механизма многозонного резонансного неупругого рассеяния света оптическими фононами [38,39].…”