Formation of Si nanocrystals in multilayered nanoperiodic Al2O3/SiO x /Al2O3/SiO x /.../Si(100) structures: Synchrotron and photoluminescence data

Si and Ge nanocrystals in resonator multilayer structures

“…Although the initial thicknesses of the layers were equal for all types of the structures, the type of the oxide (SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 ) affects the position of the luminescence band. While the spectra of the SiO x /SiO 2 and SiO x /ZrO 2 structures were similar , a red shift of the PL‐band has been observed for the SiO x /Al 2 O 3 structure. Therefore, the enhancement of the PL intensity has been observed not for the main resonant peak, but for the peak at 1.51 eV.…”

“…In general, the studies of indirect‐band‐gap semiconductor nanocrystals are oriented on obtaining defect‐free effectively emitting nanoparticles arranged in a particular order. Besides the investigations of the design and synthesis conditions of such composite systems, there have been a number of papers on the influence of the matrix material on the NCs properties . Although the studies in this area have been performed for a long time, there are still urgent problems of the nanocrystal luminescence phenomena explanation.…”

ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОТЖИГОВ НА ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И СОСТАВ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУР a-Si/ZrO2 и a-SiOx/ZrO2 ПО ДАННЫМ СИНХРОТРОННЫХ XANES ИССЛЕДОВАНИЙ

“…Третьей особенностью можно считать возможность изменения материала широкозонного диэлектрика, например SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 и т.д., что позволяет управлять величинами разрывов зон на гетерогранице Si (или nc-Si)/диэлектрик, а также регулировать эффективную величину диэлектрической проницаемости наноструктуры как оптической среды [5][6][7]. Ранее мы сообщали об образовании нанокластеров и нанокристаллов кремния в МНС типа a-SiO x /SiO 2 и a-SiO x /Al 2 O 3 [5][6][7][8][9][10]. В настоящей работе исследованы структуры, в которых в качестве широкозонного диэлектрика, разделяющего кремнийсодержащие слои, выступает ZrO 2 .…”

“…К таковым относятся методы рентгеновской спектроскопии, в том числе использующие высокоинтенсивное синхротронное излучение, в частности спектроскопия ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES -X-ray absorption near edge structure), чувствительная к локальному окружению атомов заданного сорта (в нашем случае кремния). В наших предыдущих работах [8][9][10] Перейдем к рассмотрению Si K спектров XANES МНС типа a-SiO x /ZrO 2 (рис. 3).…”