ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОТЖИГОВ НА ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И СОСТАВ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУР a-Si/ZrO2 и a-SiOx/ZrO2 ПО ДАННЫМ СИНХРОТРОННЫХ XANES ИССЛЕДОВАНИЙ

Abstract

В работе с использованием синхротронного метода спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения изучено влияние высокотемпературных отжигов в области температур от 500 до 1100 °С на изменение электронного строения и состава многослойных нанопериодических структур a-Si/ZrO2 и a-SiOx/ZrO2. Наблюдаемые различия в тонкой структуре синхротронных спектров кремния объясняются различным окислением кремниевых нанослоев уже в исходных структурах. Показана возможность упорядочения в расположении атомов кремния слоев многослойных нанопериодических структур a-Si/ZrO2 и a-SiOx/ZrO2 при максимальной температуре отжига.
 
 Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской федерации в рамках государственного задания ВУЗам в сфере научной деятельности на 2017–2020 гг. – проект № 16.8158.2017/8.9.