Formation of ITO Thin Films by MF Magnetron Sputtering for Solar Cells Application

Manufacturing Technology of Pressure Sensor’s Sensitive Elements Based on “Sapphire – Viterious Dielectric – Ceramic” Junction

“…Пластины сапфира с ориентацией (1 02), служащие подложками для изготовления чувствительного элемента, перед осаждением слоев кремния отжигаются при температуре 1400°С в течение 60 минут, что позволяет удалить с поверхности сапфира углеродные и кислородные загрязнения и обеспечить высокое качество структуры приповерхностной области слоя Si. Далее осаждается слой поликристаллического кремния методом высокочастотного распыления [9][10][11][12][13][14][15] с последующим проведением фотолитографии для формирования тензорезисторов. Травление слоев поликристаллического кремния методом избирательного анизотропного травления необходимо для последующего формирования контактов к резисторам [16].…”